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正文內(nèi)容

x射線光電子能譜--儀器分析(編輯修改稿)

2025-01-23 06:19 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 限 , 此陡限同主峰之間的能量差等于帶有一個(gè)內(nèi)層空穴離子基態(tài)的電離電位 . 光電子特征峰 伴峰   (3)能量損失峰 ( Energy loss )是由于光電子在穿過樣品表面時(shí)同原子 (或分子 )之間發(fā)生非彈性碰撞損失能量后在譜圖上出現(xiàn)的伴峰 .對于金屬 等離子激元 光電子特征峰 伴峰  (4) X射線衛(wèi)星峰 (Xray satellites )由特征 X射線主線以外的其它伴線產(chǎn)生的 . 光電子特征峰 伴峰(5) 多重分裂 (Multiplet splitting )一般發(fā)生在基態(tài)有未成對電子 的原子中 . 當(dāng)價(jià)層能級有未成對電子的原子內(nèi)層光致電離而形成一個(gè)空穴后 ,空穴導(dǎo)致的內(nèi)層未成對電子同價(jià)層中未成對電子發(fā)生自旋相互作用 (偶合 ),形成不同終態(tài)離子 ,結(jié)果在譜圖上出現(xiàn)多重分裂峰 .      Fe2(SO4)3    K4FeCN6Fe3s峰的多重分裂 光電子特征峰 伴峰 往往出現(xiàn) 多重分裂峰過渡金屬 具有未充滿的 d軌道稀土和錒系元素 具有未充滿的 f軌道 光電子特征峰 伴峰 (6) 俄歇電子峰 (Auger electron )當(dāng)原子中的一個(gè)電子光致電離而發(fā)射之后 ,在內(nèi)層留下一個(gè)空穴 ,這時(shí)原子處于激發(fā)態(tài) .這種激發(fā)態(tài)離子要向低能轉(zhuǎn)化而發(fā)生弛豫弛豫的方式通過輻射躍遷釋放能量 ,即 X射線熒光通過非輻射躍遷使另一個(gè)電子激發(fā)成自由電子 ,即俄歇電子光電過程L2,3 或 2pL1  或 2sK 或 1sPhotoelectronPhotonAuger 過程L2,3 或 2pL1  或 2sK 或 1sAuger electronX射線激發(fā)的俄歇電子峰的特點(diǎn)?X射線激發(fā)的俄歇電子峰多以 譜線群 的形式出現(xiàn) .?俄歇電子的動能與 激發(fā)源的能量無關(guān) .?俄歇電子峰的能量也能 反映化學(xué)位移效應(yīng) .Auger參數(shù)修正的 Auger參數(shù)K?3,4激發(fā) F1sAuger參數(shù)二維圖 L3VV Kiic Energy 非導(dǎo)電樣品的荷電校正 在對非導(dǎo)電樣品進(jìn)行測定時(shí),由于光電子的不斷發(fā)射,使樣品表面積累正電荷。這種電荷效應(yīng)一般 引起發(fā)射的光電子動能降低,使記錄的譜峰位移 (可達(dá)幾個(gè)電子伏特)。 非導(dǎo)電樣品的荷電校正       荷電效應(yīng)示意圖eh?克服荷電效應(yīng)的方法把樣品制成盡可能薄的薄片把非導(dǎo)電樣品與導(dǎo)電樣品緊密混合在樣品表面蒸鍍極薄的導(dǎo)電層在樣品室安裝低能電子中和槍校正荷電效應(yīng)的方法利用污染碳 C1s結(jié)合能做內(nèi)標(biāo)(BEC1s=)在樣品表面蒸鍍 Au或 Pt等元素(BEAu4f7/2=,BEPt4f7/2=)將樣品壓入 In片將 Ar離子注入到樣品表面2 定性、定量分析和深度分析 定性分析鑒定物質(zhì)的元素組成 ( 除 H, He以外 ), 混合物的 成分分析化學(xué)狀態(tài) , 官能團(tuán)分析   元素定性分析  提供 “原子指紋 ” ( 除 H, He以外 )  各種元素都有它的特征的電子結(jié)合能 ,在能譜圖中出現(xiàn)特征譜線 .我們可以根據(jù)這些譜線在能譜圖中的位置來鑒定元素的種類 . 絕對靈敏度很高 ,達(dá) 1018g,  但相對靈敏度較低 ,一般只有 %左右 .
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