x射線光電子能譜分析教材(編輯修改稿)
2025-01-23 05:53 本頁面
【文章內容簡介】 ：俄歇電子形成的譜線。 俄歇譜線的表示： LMM俄歇電子是 L層電子被激發(fā)， M層電子填充到 L層， 釋放的能量又使另一個 M層電子激發(fā)所形成的俄歇電子。 :X射線并非單色，陽極材料原子產生熒光X射線效應，這些射線統(tǒng)稱 Kα1,2X射線的衛(wèi)星線。衛(wèi)星線激發(fā)的光電子形成 X射線衛(wèi)星峰。表現(xiàn)圖譜，在主光電子線的低結合能或高結合能端較小的衛(wèi)星峰。 XPS譜圖 中譜線 ：原子電離后空位與自旋電子發(fā)生偶合，得到不同終態(tài)，相應每一個終態(tài)，在圖譜上將有一條譜線。 配位體相同時，多重分裂與未成對電子數(shù)正相關。多重分裂譜線能量差與配位體離子電負性相關，可以用于判斷價態(tài)。 ：光電子穿過樣品表面時，同原子間發(fā)生非彈性碰撞、損失能量后在圖譜上出現(xiàn)的伴峰。 （一）振離譜線。振離是一種多重電離過程。原子的一個內層電子電離而發(fā)射，導致一個外層電子電離。光電子能量被原子吸收，在圖譜主光電子峰附近出現(xiàn) 連續(xù) 譜線。 （二）振激譜線。過程與振離相似，所不同的是價殼層電子躍遷到更高級束縛態(tài)。結果在譜圖主光電子峰的 低 動能端 分離 的伴峰。 判斷順磁反磁、鍵的共價性、幾何構型等化學性質。 ：難以解釋的光電子線。來源陽極靶材雜質元素，窗口材料等。 167。 俄歇電子能譜 (AES) 俄歇電子能譜的基本機理是：入射電子束或 X射線使原子內層能級電子電離，外層電子產生無輻射俄歇躍遷，發(fā)射俄歇電子，用電子能譜儀在真空中對它們進行探測。 能量公式 對于原子序數(shù)為 Z的原子 ,俄歇電子的能量可以用下面經(jīng)驗公式計算： EWXY(Z)=EW(Z)EX(Z)EY(Z+ Δ) Φ 式中， EWXY(Z)：原子序數(shù)為 Z的原子， W空穴被 X電子填充得到的俄歇電子 Y的能量。
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