模擬電子技術(shù)電子教案(第一章)n(編輯修改稿)
2025-01-23 03:58 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 二極管的應(yīng)用 其它二極管 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象 P型和 N型半導(dǎo)體相接觸，其交界面兩側(cè)由于載流子的濃度差，產(chǎn)生 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ，形成擴(kuò)散電流． + + + + ++ + + + ++ + + + + + + + + ++ + + + ++ + + + + 耗盡層空間電荷區(qū)自鍵場P N P N(a) 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) (b) 平衡時(shí)阻擋層形成圖 1－ 6 PN結(jié)的形成 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象l 擴(kuò)散時(shí)將分別留下帶正、負(fù)電荷的雜質(zhì)離子，形成空間電荷和自建場．在該電場作用下，載流子作 漂移運(yùn)動(dòng) ，其方向與擴(kuò)散方向相反，阻止擴(kuò)散，平衡時(shí)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)相等 。 + + + + ++ + + + ++ + + + + + + + + ++ + + + ++ + + + + 耗盡層空間電荷區(qū)自鍵場P N P N(a) 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) (b) 平衡時(shí)阻擋層形成圖 1－ 6 PN結(jié)的形成 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦援?dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加 正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之稱為加 反向電壓，簡稱 反偏 。 加正向電壓時(shí)， PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)，其正向電流隨正向電壓增大而增大。PN結(jié)正向偏置－－－－++++內(nèi)電場減弱，使擴(kuò)散加強(qiáng)，擴(kuò)散 ?飄移，正向電流大空間電荷區(qū)變薄P N+ _正向電流PN結(jié)反向偏置－－－－++++空間電荷區(qū)變厚NP+_++++－－－－內(nèi)電場加強(qiáng)，使擴(kuò)散停止，有少量飄移，反向電流很小反向飽和電流很小， ?A級 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦云渲蠭S —— 反向飽和電流UT —— 溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（ T=300K） PN結(jié)的擊穿特性當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為PN結(jié)的 反向擊穿。熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆 PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)電壓變化，阻擋層厚度也發(fā)生變化，從而引起阻擋層內(nèi)電荷變化。此種電容稱為 勢壘電容 CT。 CT勢壘電容示意圖 PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)正向運(yùn)用時(shí)，多數(shù)載流子在擴(kuò)散過程中引起電荷積累，正向電壓變化，其積累的電荷也變化，此種電容稱為 擴(kuò)散電容 CD。 CD擴(kuò)散電容示意圖 PN結(jié)的電容效應(yīng)一般情況下， PN結(jié)加正向電壓時(shí)， 擴(kuò)散電容 CD 起主要作用。 加反向電壓時(shí)， 勢壘電容 CT起主要作用。PN結(jié)電容均隨外加電壓變化而變化。 半導(dǎo)體二極管1. 基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。PN符號
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