模擬電子技術(shù)電子教案(第一章)n-免費閱讀
【正文】 三極管的主要參數(shù) (3) 極限參數(shù)：ICM —— 集電極最大允許電流。截止區(qū) : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死區(qū)電壓。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流 IE。(2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于低頻大電流整流電路。 CD擴散電容示意圖 PN結(jié)的電容效應(yīng)一般情況下， PN結(jié)加正向電壓時， 擴散電容 CD 起主要作用。三價雜質(zhì)因而也稱為 受主雜質(zhì) 。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 —— 摻入五價雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。因此， 本征載流子的濃度對溫度十分敏感。+4 +4+4 +4l 共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。教學(xué)內(nèi)容1 . 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1 . 2 PN結(jié) 1 . 3 半導(dǎo)體三極管1 . 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識l 1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 1 . 1 . 2 雜質(zhì)半導(dǎo)體1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，來劃分 導(dǎo)體 、 絕緣體 和 半導(dǎo)體 。l 典型的半導(dǎo)體有 硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵GaAs等 。1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體在絕對溫度 0K(273℃) 時，本征半導(dǎo)體中的電子受原子核的束縛，故該半導(dǎo)體不存在能導(dǎo)電的粒子，從而呈現(xiàn)絕緣體的性能。+4 +4+4 +4本征半導(dǎo)體特點n 本征激發(fā)產(chǎn)生成對電子和空穴。P型半導(dǎo)體 —— 摻入三價雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。+4 +4 +4+4 +3 +4+4 +4 +4圖 1－ 5 P型半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)受主原子空位本節(jié)中的有關(guān)概念l本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體l自由電子、空穴lN型半導(dǎo)體、 P型半導(dǎo)體l多數(shù)載流子、少數(shù)載流子 PN結(jié) 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦? PN結(jié)的擊穿特性 PN結(jié)的電容效應(yīng) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓二極管 二極管的應(yīng)用 其它二極管 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象 P型和 N型半導(dǎo)體相接觸，其交界面兩側(cè)由于載流子的濃度差，產(chǎn)生 擴散運動 ，形成擴散電流． + + + + ++ + + + ++ + + + + + + + + ++ + + + ++ + + + + 耗盡層空間電荷區(qū)自鍵場P N P N(a) 多數(shù)載流子的擴散運動 (b) 平衡時阻擋層形成圖 1－ 6 PN結(jié)的形成 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象l 擴散時將分別留下帶正、負(fù)電荷的雜質(zhì)離子，形成空間電荷和自建場．在該電場作用下，載流子作 漂移運動 ，其方向與擴散方向相反，阻止擴散，平衡時擴散運動與漂移運動相等 。 加反向電壓時， 勢壘電容 CT起主要作用。面接觸型平面型半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片二極管伏安特性UI導(dǎo)通壓降
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