模擬電子技術電子教案(第一章)n-wenkub
2023-01-24 03:58:53 本頁面
【正文】 本征半導體空穴在電場作用下定向移動形成電流，實際上是共價鍵中的價電子在作填補空穴的移動，方向與空穴移動的方向相反。 絕對溫度 = 273 + 攝氏溫度+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導體共價鍵中的價電子受激發(fā)獲得能量并擺脫共價鍵的束縛成為 “ 自由電子 ” ，并在原共價鍵的位置上形成一個 “ 空穴 ” ，這一過程稱為 本征激發(fā) 。1 . 1 . 1 本征半導體在硅和鍺晶體中，每個原子與其相鄰的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。1 . 1 . 1 本征半導體半導體硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。l 硅穩(wěn)壓二極管的伏安特性、穩(wěn)壓原理及主要電參數(shù)。l 晶體管的放大作用、輸入特性曲線和輸出特性曲線、主要參數(shù)、溫度對參數(shù)的影響。原子序號分別為 14（ 4）和 32（ 1 4）。共價鍵共用電子對+4表示除去價電子后的原子+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導體l 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩(wěn)定結構。+4 +4 +4+4 +4 +4+4 +4 +4圖 1－ 3 本征半導體中的自由電子和空穴空穴自由電子1 . 1 . 1 本征半導體電子和空穴均是能夠自由移動的帶電粒子，稱為 載流子 。+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導體本征半導體的載流子濃度，除與半導體材料本身的性質(zhì)有關以外，還與溫度密切相關，而且隨著溫度的升高，基本上按指數(shù)規(guī)律增加。外部條件一定時，不斷有本征激發(fā)產(chǎn)生新的電子和空穴，也不斷有電子與空穴復合而消失，達到動態(tài)平衡。為了盡量保持半導體的原有晶體結構，摻入的雜質(zhì)主要是微量的價電子數(shù)較為接近的 三價 或 五價 元素。+4 +4 +4+4 +5 +4+4 +4 +4鍵外電子施主原子圖 1－ 4 N型半導體共價鍵結構N型半導體在 N型半導體中 自由電子是多數(shù)載流子， 它主要由雜質(zhì)原子提供； 空穴是少數(shù)載流子 , 由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為 負離子 。 加正向電壓時， PN結處于導通狀態(tài)，其正向電流隨正向電壓增大而增大。 CT勢壘電容示意圖 PN結的電容效應PN結正向運用時，多數(shù)載流子在擴散過程中引起電荷積累，正向電壓變化，其積累的電荷也變化，此種電容稱為 擴散電容 CD。 半導體二極管1. 基本結構PN結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。PN 結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。二極管伏安特性鍺二極管 2AP15的 VI 特性正向特性反向特性反向擊穿特性二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù)有：n 最大整流電流 IFn 最大反向工作電壓 URn 反向電流 IRn 直流電阻 RDn 交流電阻 rdn 最高工作頻率 fM 穩(wěn)壓二極管1. 穩(wěn)壓特性(a)符號(b) 伏安特性 利用二極管反向擊穿特
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