模擬電子技術(shù)第4章-免費(fèi)閱讀
【正文】 OT2 T12. 溫度對(duì) ? 的影響 溫度升高，輸出特性曲線 向上移 。3. U(BR)CEO — 基極開路時(shí) C、 E 極 間反向擊穿電壓。A30 181。A10 181。A40 181。適當(dāng) 選擇 參數(shù) RZ的阻 值 ，使流 過(guò)穩(wěn)壓 管的 電 流在 穩(wěn)壓 管參數(shù) —— 穩(wěn) 定 電流 IZ和最大 電 流 IZM之 間U電阻的作用一是起限流作用，以保護(hù)穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時(shí)，通過(guò)該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號(hào)以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。一、結(jié)構(gòu)二、特性利用 PN結(jié)的反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓作用穩(wěn)壓管反向擊穿后：反向電流變化很大、反向擊穿電壓變化很小主要參數(shù)1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過(guò)規(guī)定電流時(shí)穩(wěn)壓管 兩端的反向電壓值。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。 反向電流過(guò)大， PN結(jié)溫度升高(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )特點(diǎn)：隨著反向電流急劇增加， PN結(jié)的反向電壓值增加很少。當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。IRPN 結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通，呈小電阻，電流較大 。（二） 雜質(zhì)半導(dǎo)體 N 型半導(dǎo)體 ：在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素（磷） —— 增大自由電子濃度N 型+5+4 +4+4+4+4磷原子 自由電子電子為 多 數(shù)載流 子空穴為 少 數(shù)載流 子載流子數(shù) ? 電子數(shù) P 型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素（硼） —— 增大空穴濃度P 型+3+4 +4+4+4+4硼原子 空穴空穴 — 多子電子 — 少子載流子數(shù) ? 空穴數(shù)① 漂移運(yùn)動(dòng)： —— 漂移電流載流子在電場(chǎng)作用下定向運(yùn)動(dòng)所形成的電流。硅 (鍺 )的原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型慣性核硅 (鍺 )的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)價(jià)電子自由電子(束縛電子 )空穴空穴空穴可在共價(jià)鍵內(nèi)移動(dòng)（ 一）本征半導(dǎo)體：純凈的單晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體受慣性核束縛的價(jià)電子在絕對(duì)溫度零度 (0176。 K)即 273℃ 之下→ 本征半導(dǎo)體硅（鍺）的全部?jī)r(jià)電子 ?都為束縛電子?與理想絕緣體一樣不能導(dǎo)電。自由電子：從低 → 高電位漂移形成電流 (方向與電場(chǎng)方向相反 )空穴：從高 → 低電位漂移形成電流（方向與電場(chǎng)方向相同）電場(chǎng)強(qiáng) 、漂移速度高、載流子濃度大 = 總漂移電流大。 反偏截止，電阻很大，電流近似為零。擴(kuò)散電容： 是由多子擴(kuò)散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。電擊穿硅管的伏安特性 鍺管的伏安特性604020– – 0 –25–50iD / mAuD / ViD / mAuD / – 25– 5051015––0溫度對(duì)二極管特性的影響604020– 0 –25–50iD / mAuD / V20?C90?CT 升高時(shí)，UD(on)以 (2 ? ) mV/ ?C 下降三、 二極管的主要參數(shù)1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?)4. fM — 最高工作頻率 (超過(guò)時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?)iDuDU (BR)I FURM O1. 最大整流電流 IF二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時(shí)不穩(wěn)壓。第三節(jié) 雙極型晶體第三節(jié) 雙極型晶體 管管 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型 晶體管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù) 晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用 溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號(hào)和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié)— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECB
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