模擬電子技術(shù)第一章-免費(fèi)閱讀
【正文】 （ 3）飽和漏極電流 IDSS MOS耗盡型和結(jié)型 FET, 當(dāng) uGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。所以當(dāng)uGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道?？勺冸娮鑵^(qū)恒流區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)iD受 uGS控制模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) ② 轉(zhuǎn)移特性曲線 ： iD=f(uGS)?uDS=const 可根據(jù)輸出特性曲線作出 轉(zhuǎn)移特性曲線 。 （設(shè) UT=2V， uGS=4V） （ a） uds=0時(shí)， id=0。 分為： 增強(qiáng)型 ? N溝道、 P溝道 耗盡型 ? N溝道、 P溝道 MOS管 （ 1） 結(jié)構(gòu) 4個(gè)電極：漏極 D，源極 S，柵極 G和 襯底 B。 模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理動(dòng)畫(huà)演示結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理動(dòng)畫(huà)演示模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（ 1）輸出特性曲線： iD=f（ uDS ） │uGS=常數(shù) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管的特性曲線uGS=0VuGS=1V設(shè)： UT= 3ViD受 uGS控制模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)四個(gè)區(qū)：恒流區(qū)的特點(diǎn)：△ iD /△ uGS = gm ≈常數(shù) 即： △ iD = gm △ uGS （放大原理） （ a）可變電阻區(qū)（預(yù)夾斷前）。 模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（ 2）漏源電壓對(duì)溝道的控制作用 在漏源間加電壓 uDS ，令 uGS =0 由于 uGS =0，所以導(dǎo)電溝道最寬。A由三極管的極限參數(shù)確定安全工作區(qū)安全工 作區(qū)過(guò)損耗區(qū)PCM曲線IC / mAUCE /VICEOICMU(BR)CEO模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 半導(dǎo)體三極管的型號(hào)第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開(kāi)關(guān)管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號(hào)的序號(hào)用字母表示同一型號(hào)中的不同規(guī)格三極管?chē)?guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：3DG110B模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)五、光電三極管等效電路 符號(hào) 外形模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)光電三極管的輸出特性曲線模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 場(chǎng)效應(yīng)管 BJT是一種電流控制元件 (iB~ iC)，工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，所以被稱為雙極型器件。其值一般為幾十伏～幾百伏。 它實(shí)際上就是 一個(gè) PN結(jié)的反向電流。 此時(shí)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。所以 uCE再增加， iC基本保持不變。 死區(qū)電壓硅 鍺 導(dǎo)通壓降硅 鍺 模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)IB =40181。（ 2）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。導(dǎo)通壓降二極管的 V—A 特性模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 由伏安特性折線化得到的等效電路(a)理想二極管 (b)正向?qū)〞r(shí)端電壓為常數(shù) (c)正向?qū)〞r(shí)端電壓與電流成線性關(guān)系 二極管的模型模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)二極管的微變等效電路圖動(dòng)態(tài)電阻：小信號(hào)線性化靜態(tài)工作點(diǎn) 電流模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下 ,工作電流 IZ在 Izmax和 Izmin之間變化時(shí) ,其兩端電壓近似為常數(shù)穩(wěn)定電壓五、 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊二極管正向同二極管反偏電壓 ≥UZ 反向擊穿＋UZ－模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 穩(wěn)壓二極管的主要 參數(shù) (1) 穩(wěn)定電壓 UZ ——(2) 動(dòng)態(tài)電阻 rZ —— 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流 IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。 (3) 反向電流 IR—— 在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。但 IR與溫度有關(guān)。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（二） 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。自由電子+4+4 +4+4+4+4+4 +4+4空穴 自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱為 空穴 。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到 % ，常稱為 “九個(gè) 9”。 與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象 —— 復(fù)合在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) PN 結(jié)的形成動(dòng)畫(huà)演示結(jié)的形成動(dòng)畫(huà)演示模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（二）（二） PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦阅M電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)1. 加正向電壓（正偏） — 電源正極接 P區(qū)，負(fù)極接 N區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。 (1) 勢(shì)壘電容 CB模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)(2) 擴(kuò)散電容 CD 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)， PN結(jié)兩側(cè)堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相當(dāng)電容的充放電過(guò)程 。2代表二極管， 3代表三極管。 模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)DE3VRui uouR uD 例 2：下圖是 二極管 限幅電路， D為理想二極管（忽略管壓降）， ui = 6 sin? t V, E= 3V,試畫(huà)出 uo波形 。由于工作時(shí)，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行，因此，還被稱為 雙極型晶體管 （Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱 BJT）。（ 2）當(dāng) uCE=1V時(shí)， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開(kāi)始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。（ 2） uCE ↑ → Ic ↑ 。A截止區(qū)飽
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