模擬電子技術(shù)電子教案(第一章)n(存儲版)
【正文】 : 硅管,鍺管 。BECNNPEBRBEcIE從基區(qū)擴散來的電子漂移進入集電結(jié)而被收集，形成 IC。 兩個結(jié)均反向偏置 。PCM —— 集電極最大允許功率損耗。ICEO —— 穿透電流，與 ICBO的關系為 ICEO =（ 1+β ） ICBO它們是由少數(shù)載流子形成的，與溫度有關。 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 。rZ =?VZ /?IZ(3) 最大耗散功率 PZM＝ VZIZ(4) 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin(5) 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) —— ?VZ2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù) 二極管的應用RLui uOuiuott二極管半波整流 二極管的應用 其它二極管 其它二極管 半導體三極管l 三極管的結(jié)構(gòu)及類型l 三極管的三種連接方式l 三極管的放大作用l 三極管的特性曲線l 三極管的主要參數(shù)l 溫度對三極管參數(shù)的影響 三極管的結(jié)構(gòu)及類型l 三極管是組成各種電子線路的核心器件 兩個 PN結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)l 三個區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)l 三個極：發(fā)射極、基極、集電極 三極管的三種連接方式 三極管的放大作用l 為實現(xiàn)放大，三極管應滿足下列條件l (1) 發(fā)射區(qū)重摻雜，l (2) 基區(qū)很薄；l (3) 集電結(jié)面積大，l (4) 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置． 三極管的結(jié)構(gòu)特點BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高三極管的電流放大原理BECNNPEBRBEcIE1IB進入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流 IB ,多數(shù)擴散到集電結(jié)。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。 CT勢壘電容示意圖 PN結(jié)的電容效應PN結(jié)正向運用時，多數(shù)載流子在擴散過程中引起電荷積累，正向電壓變化，其積累的電荷也變化，此種電容稱為 擴散電容 CD?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為 負離子 。為了盡量保持半導體的原有晶體結(jié)構(gòu)，摻入的雜質(zhì)主要是微量的價電子數(shù)較為接近的 三價 或 五價 元素。+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導體本征半導體的載流子濃度，除與半導體材料本身的性質(zhì)有關以外，還與溫度密切相關，而且隨著溫度的升高，基本上按指數(shù)規(guī)律增加。共價鍵共用電子對+4表示除去價電子后的原子+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導體l 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。l 晶體管的放大作用、輸入特性曲線和輸出特性曲線、主要參數(shù)、溫度對參數(shù)的影響。1 . 1 . 1 本征半導體半導體硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。 絕對溫度 = 273 + 攝氏溫度+4 +4+4 +4
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