模擬電子技術(shù)電子教案(第一章)n(存儲(chǔ)版)
【正文】 : 硅管,鍺管 。BECNNPEBRBEcIE從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成 IC。 兩個(gè)結(jié)均反向偏置 。PCM —— 集電極最大允許功率損耗。ICEO —— 穿透電流，與 ICBO的關(guān)系為 ICEO =（ 1+β ） ICBO它們是由少數(shù)載流子形成的，與溫度有關(guān)。 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 。rZ =?VZ /?IZ(3) 最大耗散功率 PZM＝ VZIZ(4) 最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin(5) 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) —— ?VZ2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù) 二極管的應(yīng)用RLui uOuiuott二極管半波整流 二極管的應(yīng)用 其它二極管 其它二極管 半導(dǎo)體三極管l 三極管的結(jié)構(gòu)及類型l 三極管的三種連接方式l 三極管的放大作用l 三極管的特性曲線l 三極管的主要參數(shù)l 溫度對(duì)三極管參數(shù)的影響 三極管的結(jié)構(gòu)及類型l 三極管是組成各種電子線路的核心器件 兩個(gè) PN結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)l 三個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)l 三個(gè)極：發(fā)射極、基極、集電極 三極管的三種連接方式 三極管的放大作用l 為實(shí)現(xiàn)放大，三極管應(yīng)滿足下列條件l (1) 發(fā)射區(qū)重?fù)诫s，l (2) 基區(qū)很?。籰 (3) 集電結(jié)面積大，l (4) 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置． 三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高三極管的電流放大原理BECNNPEBRBEcIE1IB進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IB ,多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。 CT勢(shì)壘電容示意圖 PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)正向運(yùn)用時(shí)，多數(shù)載流子在擴(kuò)散過(guò)程中引起電荷積累，正向電壓變化，其積累的電荷也變化，此種電容稱為 擴(kuò)散電容 CD。空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為 負(fù)離子 。為了盡量保持半導(dǎo)體的原有晶體結(jié)構(gòu)，摻入的雜質(zhì)主要是微量的價(jià)電子數(shù)較為接近的 三價(jià) 或 五價(jià) 元素。+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的載流子濃度，除與半導(dǎo)體材料本身的性質(zhì)有關(guān)以外，還與溫度密切相關(guān)，而且隨著溫度的升高，基本上按指數(shù)規(guī)律增加。共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4表示除去價(jià)電子后的原子+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體l 形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。l 晶體管的放大作用、輸入特性曲線和輸出特性曲線、主要參數(shù)、溫度對(duì)參數(shù)的影響。1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。 絕對(duì)溫度 = 273 + 攝氏溫度+4 +4+4 +4
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