模擬電子技術電子教案(第一章)n-wenkub.com
2025-01-03 03:58 本頁面
【正文】 BUCBO 、 BUCEO 、 BUEBO —— 三極管的擊穿電壓。一般二者關系為： α=β/ （ 1+β ） β=α/ （ 1α ） 三極管的主要參數 (2) 極間反向電流：ICBO —— 集電極一基極反向飽和電流。飽和區(qū)： UCE?UBE,集電結正偏， ?IBIC，UCE?。 三極管的特性曲線輸入特性曲線的三個部分① 死區(qū) ② 非線性區(qū)③ 線性區(qū)1. 輸入特性曲線輸出特性IC(mA )1234UCE(V)3 6 9 12IB=020?A40?A60?A80?A100?A放大區(qū)： 當 UCE大于一定的數值時， IC只與 IB有關 IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。IC2ICIB三極管的電流放大原理三極管的電流放大原理三極管的電流放大原理三極管的電流放大原理實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是：（ 1） 內部條件： 發(fā)射區(qū)雜質濃度遠大于基區(qū)雜質濃度，且基區(qū)很薄。 穩(wěn)壓二極管(1) 穩(wěn)定電壓 VZ(2) 動態(tài)電阻 rZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流 IZ下，所對應的反向工作電壓。反向擊穿電壓 U(BR)反向漏電流（很小， ?A級）死區(qū)電壓 硅管 ~,鍺管 ~。 半導體二極管(3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造藝中。PN結電容均隨外加電壓變化而變化。此種電容稱為 勢壘電容 CT。 + + + + ++ + + + ++ + + + + + + + + ++ + + + ++ + + + + 耗盡層空間電荷區(qū)自鍵場P N P N(a) 多數載流子的擴散運動 (b) 平衡時阻擋層形成圖 1－ 6 PN結的形成 PN結的單向導電特性當外加電壓使 PN結中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加 正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之稱為加 反向電壓，簡稱 反偏 。+4 +4 +4+4 +3 +4+4 +4 +4圖 1－ 5 P型半導體的共價鍵結構受主原子空位P型半導體在 P型半導體中 空穴是多數載流子， 它主要由摻雜形成； 自由電子是少數載流子， 由熱激發(fā)形成。N型半導體因五價雜質原子中只有四個價電子能與周圍四個半導體原子中的價電子形成共價鍵，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p =10 10/cm3某種摻雜半導體中的自由電子濃度 : n= 510 16/cm3 雜質半導體 摻入雜質的本征半導體稱為 雜質半導體 。n 溫度越高，電子空穴對的濃度越大。 +4 +4+4 +41 . 1 . 1
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