【正文】 A20 181。AIB = 0O 3 6 9 124321O iB / ?AuBE / V60402080死區(qū)電壓 (Uth)： V (硅管 ) V (鍺管 )工作電壓 (UBE(on) ) ： ? V 取 V (硅管 ) ? V 取 V (鍺管 )飽和區(qū)截止區(qū)《模擬電子技術基礎》課程教學課件iC / mAuCE /V100 181。A80 181。JFET： RGS 107 ?MOSFET： RGS = 109 ? 1015??IDSSuGS /ViD /mAO《模擬電子技術基礎》課程教學課件4. 低頻跨導 gm 反映了 uGS 對 iD 的控制能力，單位 S(西門子 )。《模擬電子技術基礎》課程教學課件 a. uGS＝ 0時，已經存在導電溝道，工作于 可變電阻狀態(tài)b. uGS＞ 0時，導電溝道將更寬，工作于 可變電阻狀態(tài) ＜ 0 時d. 在 UDS＝ 0的情況下， UGS引起的電場將抵消 SIO2薄膜引起的電場，使導電溝道變薄，當 UGS負向增長到一定程度，將使導電溝道消失，此時的 UGS稱為 完全夾斷電壓 ，記為 UGS(off) ，管子此時工作于 截至狀態(tài)《模擬電子技術基礎》課程教學課件 d. UGS(off) uGS0時，導電溝道尚未被夾斷（仍然存在），施加UDS0e. 由于 DS間存在電位差，導電溝道將呈楔形，近 D端窄，近 S端厚， 當 UDS增大到使 UGS － UDS ＝ UGD = UGS(off)時 ,導電溝道首先在近 D極一側消失，溝道被 （預）夾斷 。管子處于截止狀態(tài)的條件： 0 UGS UGS(th)(開啟電壓 )《模擬電子技術基礎》課程教學課件2) uDS 對 iD的影響 (uGS UGS(th)0－－導電溝道已經形成， UDS0－－ UDS增大DS 間的電位差使溝道呈楔形， UDS?，使 UGS － UDS ＝ UGD減小，從而靠近漏極D端的溝道厚度變薄。隨著 UGS增大，被吸引到 SIO2薄膜下的自由電子數量也隨之增加當 UGS增大到一定程度，使得被吸引到 SIO2薄膜下的自由電子數量多到可以形成一層電子導電層，并將原來絕緣的 D和 S極連通時， N型導電溝道 形成，此時的 UGS稱為 開啟電壓 ，記為 UGS(th)。處于截至狀態(tài)的條件 : UGS＜ UGS （ off） 02. 工作原理《模擬電子技術基礎》課程教學課件 (2) UDS 對導電溝道的影響UGS (Off) UGS? 0 ?溝道未被完全夾斷此時施加 UDS 0由于沿溝道從 D到 S存在電位差，如：VxVy ，則：VxVy = VxVG VyVG0(G點電位為負 )即 VG Vx＜ VG Vy 0 = UGXUGY0結論： x處的 PN結比 y處的 PN結厚所以： 靠近 D端的 PN結最厚，靠近 S端的 PN結最薄。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO (P34 )已知 :ICM = 20 mA, PCM = 100 mW ，U(BR)CEO = 20 V，當 UCE = 10 V 時， IC mA當 UCE = 1 V，則 IC mA當 IC = 2 mA，則 UCE V 102020《模擬電子技術基礎》課程教學課件　場效應管　場效應管 引　言 結型場效應管 場效應管的主要參數 MOS 場效應管《模擬電子技術基礎》課程教學課件引 言場效應管 FET (Field Effect Transistor)類型：結型 JFET (Junction Field Effect Transistor)絕緣柵型 IGFET(Insulated Gate FET)《模擬電子技術基礎》課程教學課件特點：1. 單極性器件 (一種載流子導電 )3. 工藝簡單、易集成、功耗小、 體積小、成本低2. 輸入電阻高 (107 ? 1015 ?， IGFET 可高達 1015 ?)《模擬電子技術基礎》課程教學課件 結型場效應管1. 結構與符號N 溝道 JFET P 溝道 JFET《模擬電子技術基礎》課程教學課件2. 工作原理(1) UGS 對導電溝道的影響 UDS=0,UGS0隨 UGS負向增長， PN結變厚，導電溝道變窄。2. PCM — 集電極最大允許功率損耗 PC = iC ? uCE。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 4321— 直流電流放大系數 ? — 交流電流放大系數一般為幾十 ? 幾百Q《模擬電子技術基礎》課程教學課件iC / mAuCE /V50 181。A40 181。OT2 T1《模擬電子技術基礎》課程教學課件2. 溫度升高，輸出特性曲線 向上移。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結正偏 集電結反偏特點： 水平、等間隔ICEO《模擬電子技術基礎》課程教學課件iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。I CN多數向 BC 結方向擴散形成 ICN。3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM4. 動態(tài)電阻 rZrZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。《模擬電子技術基礎》課程教學課件例 ui = 2 sin ?t (V)，分析二極管的限幅作用。《模擬電子技術基礎》課程教學課件[解 ] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA)UO = VDD = 2 V恒壓降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? = (V)IO = UO / R = / 2 = (mA)VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA)恒壓降 UO = 10 ? = (V)IO = / 2 = (mA)VDD 大， 采用理想模型VDD 小， 采用恒壓降模型《模擬電子技術基礎》課程教學課件例 試求電路中電流 I I IO 和輸出電壓 UO 的值 ?！赌M電子技術基礎》課程教學課件硅管的伏安特性 鍺管的伏安特性604020– – 0 –25–50iD / mAuD / ViD / mAuD / – 25– 5051015––0《模擬電子技術基礎》課程教學課件溫度對二極管特性的影響604020– 0 –25–50iD / mAuD / V20?C90?CT 升高時，UD(on)以 (2 ? ) mV/ ?C 下降《模擬電子技術基礎》課程教學課件 二極管的主要參數1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向導電性越好 )4. fM — 最高工作頻率 (超過時單向導電性變差 )iDuDU (BR)I FURM O《模擬電子技術基礎》課程教學課件影響工作頻率的原因 — PN 結的電容效應 結論：1. 低頻 時，因結電容很小，對 PN 結影響很小。 (擊穿電壓 6 V， 負 溫度系數 )雪崩擊穿： 反向電場使電子加速，動能增大，撞擊使自由電子數突增。IF = I多子 ? I少子 ? I多子2. 外加 反向 電壓 (反向偏置 ) — reverse bias P 區(qū) N 區(qū)內電場外電場外電場使少子背離 PN 結移動， 空間電荷區(qū)變寬?！赌M電子技術基礎》課程教學課件 雜質半導體一、 N 型半導體和 P 型半導體N 型+5+4 +4+4+4+4磷原子 自由電子電子為 多 數載流 子空穴為 少 數載流 子載流子數 ? 電子數《模擬電子技術基礎》課程教學課件 雜質半導體一、 N 型半導體和 P 型半導體P 型+3+4 +4+4+4+4硼原子 空穴空穴 — 多子電子 — 少子載流子數 ? 空穴數《模擬電子技術基礎》課程教學課件