模擬電子技術(shù)電子教案(第一章)n-全文預(yù)覽
【正文】 要作用。熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆 PN結(jié)的電容效應(yīng)PN結(jié)電壓變化，阻擋層厚度也發(fā)生變化，從而引起阻擋層內(nèi)電荷變化。+4 +4 +4+4 +3 +4+4 +4 +4圖 1－ 5 P型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)受主原子空位本節(jié)中的有關(guān)概念l本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體l自由電子、空穴lN型半導(dǎo)體、 P型半導(dǎo)體l多數(shù)載流子、少數(shù)載流子 PN結(jié) 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦? PN結(jié)的擊穿特性 PN結(jié)的電容效應(yīng) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓二極管 二極管的應(yīng)用 其它二極管 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象 P型和 N型半導(dǎo)體相接觸，其交界面兩側(cè)由于載流子的濃度差，產(chǎn)生 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ，形成擴(kuò)散電流． + + + + ++ + + + ++ + + + + + + + + ++ + + + ++ + + + + 耗盡層空間電荷區(qū)自鍵場(chǎng)P N P N(a) 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) (b) 平衡時(shí)阻擋層形成圖 1－ 6 PN結(jié)的形成 異型半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象l 擴(kuò)散時(shí)將分別留下帶正、負(fù)電荷的雜質(zhì)離子，形成空間電荷和自建場(chǎng)．在該電場(chǎng)作用下，載流子作 漂移運(yùn)動(dòng) ，其方向與擴(kuò)散方向相反，阻止擴(kuò)散，平衡時(shí)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)相等 。P型半導(dǎo)體因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。P型半導(dǎo)體 —— 摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。+4 +4+4 +4本征半導(dǎo)體特點(diǎn)n 本征激發(fā)產(chǎn)生成對(duì)電子和空穴。+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體載流子在電場(chǎng)作用下的定向運(yùn)動(dòng)稱為 漂移 .本征半導(dǎo)體中自由電子數(shù) ni等于空穴數(shù) pi， 即 ni＝ pi.+4 +4+4 +41 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體產(chǎn)生自由電子和空穴對(duì)的同時(shí)，部分電子也失去能量 返回到共價(jià)鍵 處，使自由電子和空穴對(duì)消失，此過(guò)程稱為載流子的 復(fù)合 。1 . 1 . 1 本征半導(dǎo)體在絕對(duì)溫度 0K(273℃) 時(shí)，本征半導(dǎo)體中的電子受原子核的束縛，故該半導(dǎo)體不存在能導(dǎo)電的粒子，從而呈現(xiàn)絕緣體的性能。l 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為本征半導(dǎo)體。l 典型的半導(dǎo)體有 硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵GaAs等 。模擬電子技術(shù)電子教案制作人：郭建才華南師范大學(xué)教育信息技術(shù)學(xué)院第一章 半導(dǎo)體器件 教學(xué)目標(biāo) 本章應(yīng)重點(diǎn)掌握以下內(nèi)容：l 半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娞匦?、伏安特性以及主要電參?shù)。教學(xué)內(nèi)容1 . 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)1 . 2 PN結(jié) 1 . 3 半導(dǎo)體三極管1 . 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)l 1 . 1 .
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1