d封裝中硅通孔互連技術的熱機械應力分析(編輯修改稿)
2025-01-18 23:50 本頁面
【文章內容簡介】 （焊球還有 Anand本構方程的參數(shù)） 約束條件 底面全約束；對稱面對稱約束 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 應力分析； 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 應變分析； 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 位移分析； 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 3D封裝中硅通孔互連技術的熱 機械應力分析 TSV介紹 熱穩(wěn)態(tài)分析 溫度循環(huán)分析 溫度沖擊分析 展望 謝辭 溫度循環(huán)條件 下的有限元分析結論 ： 階段的最大應力值和最大應變值要比低溫階段的最大應力值和最大應變值要大一些，而在周期結束時，即升溫到 25℃ 結束時所得到的最大應力值和最大應變值最小 ； 階段和低溫階段的最大應力應變所在的位置與一個周期結束時的應力應變最大點的位置都不盡相同，而就高溫階段和低溫階段的保溫過程而言，其應力和應變最大點的位置并不發(fā)生變化 ； 最大應力 ， 在高溫保溫階段 ， 應力最大點都位于從模型中心沿 x軸方向最邊緣的 TSV底層的銅層位置 ， 而在低溫保溫階段 ， 應力最大點都位于最邊緣 TSV位置沿 y軸方向數(shù)第三個 TSV底層銅層上 ， 在一個周期結束時 ， 應力最大點轉移到芯片邊緣的 TSV的底層銅層上 ； 最大應變，在高溫保溫階段，應變最大點都位于從芯片邊緣 TSV處沿 x軸方向數(shù)第四個 TSV底層的錫層的位置，而在低溫保溫階段，應變最大點都位于最邊緣 TSV位置沿 x軸方向數(shù)第六個 TSV底層的錫層的位置上，在一個周期結束時，應變最大點轉移到芯片邊緣的 TSV的底層錫層上 。 一個特定的時間點而言，芯片和芯片之間的金屬凸點（由
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