級多晶硅提純技術現(xiàn)狀與質量分析(編輯修改稿)
2025-02-07 09:46 本頁面
【文章內容簡介】 m and impact of impurities in silicon crystal雜質在硅晶體內部的存在形式和對晶體的影響的研究 ? Formation mechanism of impurities deep lever and its restrain method雜質深能級的形成機制研究及抑制方法 冶金法同樣需要在理論上進行重要的突破。 目 錄 ? Brief Introduction of Metallurgical Purification of SOG 冶金法簡介 ? Evolution of Metallurgical Purification of SOG 冶金法的進展 ? Impurities and its affect to the SOG 太陽能級多晶硅的雜質及其對材料性能的影響 ? Quality Stability Analysis of Metallurgical Purified SOG 冶金法多晶硅的質量穩(wěn)定性分析 Progress of MP method on Purity MP法在純度上的進展（以經濟規(guī)模） Time Lab Purity Prod Purity Mfgrs Country 時間 實驗室純度 產品純度 部分制造商 國家 2023年 “ 5n” JFE Japan 2023年 “ 6n” JFE 2023年 “ 6n” 迅天宇 China 2023年 “ 7n” 5N Elkem Norway 2023年 “ 6n” 5N Dow Chem., 南安三晶 China 2023年 普羅 ,佳科 ,銀星 ,BSI,DC， Chn,CAD 2023年 6N 普羅 ,銀星 , etc. China Progress of MP method Silicon on Purity MP法多晶硅在電池效率上的進展（經濟規(guī)模） 時間 轉換效率 衰減后 制造商 國家 備注 2023年 16% N/A ELKEM Norway 摻料 2023年 16% 10~11% 南安三晶 China 單晶 2023年 6月 ~% 無 BSI，佳科 CHN,CAN 多晶 8月 % % 普羅 CHN 單晶 12月 17% N/A 銀星 CHN 單晶 2023年 4月 % % 普羅 , CHN 單晶 8月 % % 銀星 CHN 單晶 兩張 MP法單晶硅片電阻率掃描圖比較 2023年 6月樣品 2023年 4月樣品 （中山大學太陽能系統(tǒng)所測試） （阿特斯陽光電力有限公司測試） 由圖可見，整個硅片電阻率分布更加均勻。 兩張 MP法單晶硅片少子壽命掃描圖比較 2023年 6月樣品 2023年 4月樣品 （中山大學太陽能系統(tǒng)所測試） （阿特斯陽光電力有限公司測試） 由圖可見，拉單晶引起的環(huán)線條紋消失，表示硅片更加平均。 CV Progress Comparation between MP method Silicon and Siemens method silicon MP法多晶硅與西門子法多晶硅在電池效率上的進展比
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