【文章內容簡介】 項。項目申請承擔單位擁有總數(shù)近70 項：其中長春光機所擁有45 項、長春理工大學擁有15 項、某瑞森某光電子有限公司擁有7 項。同時承擔單位擁有20 多項有關大功率激光器的科研成果，包括“無鋁量子阱大功率激光器關鍵技術及應用”、“大功率808nm 無鋁應變量子阱激光器技術研究”、“Zn 擴散窗口工藝制備大功率300mW/650nm 半導體激光器”等關鍵技術。承擔單位所擁有的專利和成果覆蓋了大功率半導體激光器外延材料、芯片制作、器件封裝散熱技術、光束整形和光纖耦合技術、光學系統(tǒng)設計等多個方面，可實現(xiàn)產品的自主知識產權。我國對激光顯示技術的關注也早已開始，上世紀80 年代末，激光顯示技術就已進入我國“863”計劃。2002 年，我國在該技術領域實現(xiàn)重大突破，推出全固態(tài)激光顯示原理樣機；2003 年，我國研制出60 英寸背投激光顯示機；2005 年，推出84 英寸背投激光顯示機，最近又研制成功140 英寸大屏幕激光顯示樣機。這些科研成果標志著我國進入國際激光彩色顯示技術開發(fā)的先進行列。激光顯示專利涉及到激光器外延材料激光顯示系統(tǒng)的主要關鍵環(huán)節(jié)和核心技術，特別在共性核心技術領域——大色域激光光源、勻場消相干等取得了完整的自主創(chuàng)新知識產權，總數(shù)在50 項左右，處于國際領先地位。因此，有專家表示，我國可以自主發(fā)展大色域激光顯示技術而不受制于國外專利?！爸袊す怆娨暤难邪l(fā)是與世界同步的，在一些領域甚至是領先世界”，邢廷文告訴記者。“九五”期間，中科院研發(fā)成功了功率大、體積小的全固態(tài)激光器，中科院成都光電所與物理所等單位希望能將激光器用于新領域，經過多次論證，認為能研發(fā)激光電視。2002 年6 月，國家863 正式批準該項目并開始研發(fā)。一些重要激光產品尚未形成規(guī)模生產，產業(yè)化單位效益較低。國內在大功率半導體激光器的產業(yè)方面相比上述發(fā)達國家有較大的差距，類似于這種單管集成的光纖耦合模塊國內有幾家機構處于起步階段，但是少有產品和相關文獻。為加快發(fā)展我國的激光顯示產業(yè)，保持激光顯示的領先地位，急需解決大功率半導體激光器材料的產業(yè)化進程。目前我國在LD外延材料、芯片制造、器件封裝等方面均已掌握自主知識產權的單元技術，且部分核心技術具有原創(chuàng)性，初步形成了從上游材料、芯片制備，中游器件封裝及下游集成應用的比較完整的研發(fā)與產業(yè)體系。外延結構采用無鋁量子阱技術、寬波導結構和Mg摻雜技術 采用無鋁有源區(qū)提高端面光學災變損傷光功率密度。端面光學災變損傷是限制器件功率密度的最主要因素之一。與含鋁AlGaAs 材料相比, 無鋁材料具有更大的端面光學災變損傷密度和更高的可靠性。因此, 采用無鋁有源區(qū)可以提高器件的輸出功率, 并增加器件的使用壽命。采用新型芯片結構設計和鍍膜技術 開展新型結構激光器芯片的制作工藝，主要包括：載流子反射鏡結構設計、真空解理技術、腔面膜設計和優(yōu)化、器件封裝技術、新型焊料試驗、采用ECR鍍膜技術等。提高器件光學膜的損傷閾值等提高器件的可靠性、降低成本。薄膜應力是半導體薄膜的重要特性，在生長過程中應力的變化可能導致薄膜內部連結失效、分層以及斷裂，對器件的性能和可靠性有著重要的影響。研究實時檢測裝置改善成膜質量，利用Stoney方程、光的干涉理論分析光點圖像位移信息和光強振蕩數(shù)據，得到薄膜表面多個點的應力、薄膜的厚度和生長率等量。 器件封裝、集成結構設