干法腐蝕工藝培訓講義全(編輯修改稿)
2024-07-24 06:24 本頁面
【文章內容簡介】 iO2（BPSG） CF4，C2F6，CHF3Si3N4 SF6，CF4 第四章 在線干法腐蝕設備結構/原理簡介 在腐蝕工藝過程中需要特別考慮的常見事項有：.. . . ..學習好幫手1． PROFILE2． CD LOSS3． OXIDE LOSS4． ETCH RATE5． ETCH UNIFORMITY6． SELECIVITY一．OXIDE 腐蝕 6” 主要有 LAM384T，ASIQ ，P5KOXIDE；5” 主要有 AME8111。 主要腐蝕工藝有：孔腐蝕，通孔腐蝕，SPACER 腐蝕，鈍化腐蝕等；腐蝕氣體主要為 CHF3，CF4，Ar，O2。其中 CHF3 是產生 POLYMER 的主要氣體，可以提高對 Si/POLYSi，PR 的選擇比； 調整 CHF3/CF4 的比例，可以控制 POLYMER 的產生；Ar 為惰性氣體，可以運載離子，增強離子轟擊，幫助控制 POLYMER，調整 PROFILE；He 為背面冷卻氣體?？缀屯锥家笥辛己玫?AL 臺階覆蓋。 384T 為三電極式結構（見下圖示） ，ASIQ 為 4 個腔體的384T，P5KOXIDE 為應用材料的 MXP+，采用靜電吸附硅片，可以提高腐蝕速率的均勻性。 1．VIA 腐蝕一般分三步主要工藝 STEP1：OXIDE/PR=6：1STEP2：OXIDE/PR=1：2 STEP3：OXIDE/PR=2：1（1：1）OVER ETCH STEP4：腔體清洗.. . . ..學習好幫手反應機理：CHF3 CF3+H CF3 CF2+F CHF3 CHF2+F CHF2 CHF+F影響選擇比的幾個主要因素：1) CHF3/CF4 RATIO2) PRESS3) Ar FLOW4) RF5) He COOLING6) 電極溫度7) total concentration of fluorinated species2. spacer etch spacer 作用：1）實現注入自對準2）保護 POLY 側壁 spacer 腐蝕 STEP1：TEOS 終點控制 STEP2：LPSIN 終點控制/時間 STEP3：OVER ETCH STEP4：CLEANING 監(jiān)控 FOX 損失量/SPACER 寬度2． 孔腐蝕STEP1：ISO ETCH （AE20221）STEP2：ANISO ETCH （ASIQ/P5KOXIDE RIE ETCH）.. . . ..學習好幫手 .. . . ..學習好幫手3． Ar FILLET 二、METAL ETCH .. . . ..學習好幫手主要設備有 H200，T1612，P5KMETAL ，AME8330主要腐蝕氣體：CL2/BCL3/CF4/N21．AME8330 為多片式刻蝕系統(tǒng)，陽極為鐘罩，陰極為六面體電極，共有18 個硅片基座，LOADLOCK 可儲存硅片，自動裝片系統(tǒng)。終點控制模式?？涛g和去膠在同一腔體，可以有效的消除 AL 的后腐蝕。2．P50
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