電池片全工序基礎(chǔ)工藝培訓(xùn)資料(編輯修改稿)
2025-07-13 14:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 驟方塊電阻均勻性不連續(xù)1. 爐管和舟沒有飽和2. 假片被污染3. 校準(zhǔn)硅片不是最好的（可能被磨光）4. 石英件或硅片臟5. 沿著擴(kuò)散爐通風(fēng)6. 氣流不足1. 預(yù)先處理爐管和舟2. 使用新的假片3. 使用好的校準(zhǔn)硅片，而不是磨光4. 清洗爐管、舟、隔熱包塊和勻流擋板5. 使用干凈的硅片6. 通過關(guān)閉可能的通風(fēng)孔減小通風(fēng)或者減小潔凈室的過壓。7. 增加N2和干O2流量整管方塊電阻太高1. 沉積時(shí)間過短2. 沉積溫度過低3. 推進(jìn)時(shí)間太短4. 推進(jìn)溫度太低1. 增加沉積時(shí)間2. 增加沉積溫度3. 增加推進(jìn)溫度4. 增加推進(jìn)溫度整管方塊電阻太低1. 沉積時(shí)間過長(zhǎng)2. 沉積溫度過高3. 推進(jìn)時(shí)間太長(zhǎng)4. 推進(jìn)溫度太高1. 減少沉積時(shí)間2. 減少沉積溫度3. 減少推進(jìn)溫度4. 減少推進(jìn)溫度返工處理方塊電阻不在規(guī)定范圍內(nèi)：，嚴(yán)重超出要求重新制絨。氧化發(fā)藍(lán)：去PSG工序，反面擴(kuò)散。色斑等由硅片表面問題引起的玷污：去PSG后從新制絨。偏磷酸：去PSG后，重新制絨。三 刻蝕工藝刻蝕目的將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免PN結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低?？涛g原理采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)，采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣，在那里與硅進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除?；瘜W(xué)公式：CF4+SIO2=SIF4+CO2工藝流程預(yù)抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預(yù)抽，主抽 ，充氣。影響因素射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會(huì)對(duì)硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)（耗盡層）造成的損傷會(huì)使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。射頻功率太低：會(huì)使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。刻蝕時(shí)間過長(zhǎng)：刻蝕時(shí)間越長(zhǎng)對(duì)電池片的正反面造成損傷影響越大，時(shí)間長(zhǎng)到一定程度損傷不可避免會(huì)延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合?？涛g時(shí)間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈，PN結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。4. 壓力壓力越大，氣體含量越少，參與反應(yīng)的氣體也越多，刻蝕也越充份。注意事項(xiàng)、反射功率、反應(yīng)室壓力和輝光顏色的穩(wěn)定性。輝光顏色或功率如有異常，應(yīng)及時(shí)報(bào)告相關(guān)設(shè)備人員。必須抽測(cè)刻蝕效果，如有異常，重新刻蝕，并通知工藝人員。注意，不能將擴(kuò)散面弄混。、環(huán)氧板、刻蝕機(jī)石英罩等要定期清洗，保持刻蝕間的工藝衛(wèi)生，長(zhǎng)時(shí)間停止使用，再次使用之前必須輝光清洗。去磷硅玻璃擴(kuò)散過程中，POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面， P2O5與Si反應(yīng)生成SiO2和磷原子，這一含有磷原子的二氧化硅層稱之為磷硅玻璃?；驹砝肏F能SiO2反應(yīng)，與其反應(yīng)式為：SiO2+4HF→SiF4↑+2H2O但是如果HF過量，則SiF4會(huì)和HF繼續(xù)反應(yīng)，總的反應(yīng)式為：SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O工藝流程槽號(hào)1234成分HF HCL純水純水純水配液8L 8L時(shí)間180220220220注意事項(xiàng)。，更化氫氟酸必須同時(shí)對(duì)槽進(jìn)行徹底清洗。在配制和清洗時(shí)，一定要做好保護(hù)措施。有氫氟酸和硅片接觸的地方，禁止近距離使用照明。硅片在兩個(gè)槽中（懸掛在空中）的停留時(shí)間不得過長(zhǎng)，防止硅片被氧化。！防止干燥不徹底。當(dāng)硅片從1號(hào)槽氫氟酸中提起時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈。控制點(diǎn)1. 。2. 側(cè)面導(dǎo)電類型為P型。異常處理工 序故障表現(xiàn)診 斷措 施刻蝕硅片邊緣呈現(xiàn)暗色（刻通正常為金屬色）工藝一般不會(huì)有問題，主要是刻蝕機(jī)器出現(xiàn)故障，通常伴有壓力不穩(wěn)定、輝光顏色不正常、功率和反射功率超出范圍、氣體流量偏出設(shè)定值等現(xiàn)象停止使用，要求設(shè)備進(jìn)行檢修。有效刻蝕寬度過大（鉆刻、刻過現(xiàn)象）硅片沒有被夾具加緊，存在縫隙；硅片沒有被對(duì)其；環(huán)氧板變形，邊緣向里延伸；加強(qiáng)員工意識(shí)，要求操作規(guī)范；更換出現(xiàn)問題的環(huán)氧板。去PSGPECVD工序存在水紋印清洗后的硅片沒有及時(shí)甩干清洗之后的硅片必須立刻甩干，不能滯留在空氣中。PECVD工序有鍍膜發(fā)白現(xiàn)象清洗不干凈；甩干后的硅片在空氣中暴露時(shí)間過長(zhǎng)，導(dǎo)致氧化做返工處理，對(duì)硅片必須清洗干凈，甩干之后的硅片不能放置于空氣中，必須及時(shí)鍍膜，否則重新清洗。返工處理測(cè)試邊緣為N型：重新刻蝕。后道四 PECVDPE目的在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫成：SiH4+NH3=SiN:H+3H2?；驹鞵ECVD技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD方法區(qū)別于其它CVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。 基本特征（450℃）。，降低成本。擴(kuò)散方式PE設(shè)備有兩類：平板式和管式。按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（Roth＆Rau ）。直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。 間接式：基片不接觸激發(fā)電極。在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā)NH3，而SiH4直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接PECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。影響因素1．頻率射頻PECVD系統(tǒng)大都采用50kHz~ MHz的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（4MHz）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。2．射頻功率增加RF功率通常會(huì)改善SiN膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過1W/cm2時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。3．襯底溫度PECVD膜的沉積溫度一般為250～400℃。這樣能保證氮化硅薄膜在HF中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于200℃下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于450℃時(shí)膜容易龜裂。4．氣體流量影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是SiH4。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20（體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。
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