干法腐蝕工藝培訓講義全-資料下載頁
2025-06-27 06:24本頁面
【正文】 ） 。我們所用的干.. . . ..學習好幫手法去膠設備有 A1000（單片式） ，DES（筒式） 。A1000 去膠設備為一種等離子體下游式去膠，其去膠方式可以更小的減少對硅片的等離子損傷。去膠使用氣體主要為 O2，與光刻膠中的 C 反應生成 CO，去膠溫度一般在150 度左右。.. . . ..學習好幫手氮氣會阻止氧自由基的碰撞，起到阻礙（buffer）的作用.. . . ..學習好幫手第七章 在線腐蝕工藝中常見異常及處理方法1. 腐蝕不凈例：GASAD 有 SIN 殘余原因分析：384 設備腐蝕能力不足，片內(nèi)均勻性差，不能滿足 1um 以下的產(chǎn)品工藝。處理方法：改用 P5KSIN 腐蝕 以下產(chǎn)品的 GASAD。2．AL 的后腐蝕原因分析：AL 腐蝕后去膠時間間隔太長，造成空氣中的水氣與光刻膠中殘留的 CL 離子反應生成 HCL，繼續(xù)腐蝕 AL。處理方法：AL 腐蝕后及時去膠，檢查 AL 腐蝕設備的壓力及氣體組分對反應腔的影響。.. . . ..學習好幫手3． AL 腐蝕后 TIN 殘留原因分析：AL 的結(jié)構(gòu)為 Ti375TiN600A/ALSICU4500A/TIN500A 由于AL 濺射后表面有梅花狀（分析為 Si 析出） ，造成刻蝕難以腐蝕干凈。處理方法：優(yōu)化腐蝕 RECIPE；調(diào)整 AL 濺射質(zhì)量。4． 過腐蝕例：AL 過腐蝕造成 AL 條細，斷條等。原因分析：，致腐蝕時間過長。 2．錯誤選擇腐蝕程序。 3．來片膜厚偏薄等。.. . . ..學習好幫手5． 殘留物（同 4）一般指腐蝕以后圓片表面留有殘留的膜，沒有被刻蝕干凈。原因分析：腐蝕時間不足或腐蝕程序設置不恰當。處理方法：優(yōu)化 RECIPE。6． 糊膠/塌膠原因分析：一般是由于硅片背面 He 冷卻流量太小造成反應過程中硅片表面溫度過高引起。處理方法：調(diào)整 He 流量至正常值。7．.. . . ..學習好幫手7． 顆粒例：SPACER 腐蝕顆粒原因分析：腔體內(nèi)腔壁由于有 POLYMER 聚結(jié)，腐蝕過程中有顆粒掉在硅片上，阻止進一步腐蝕，造成局部腐蝕不干凈。處理方法：清洗腐蝕腔體。8． PROFILE 不良例：CS4005 AL PROFILE 不良原因分析：腐蝕程序不適用（如 CL2 流量太大，PRESS 太低等）處理方法：優(yōu)化 RECIPE。.. . . ..學習好幫手9． 去膠不凈/殘膠原因分析：去膠時間不夠或方法不當。寧可累死在路上，也不能閑死在家里！寧可去碰壁，也不能面壁。是狼就要練好牙，是羊就要練好腿。什么是奮斗？奮斗就是每天很難，可一年一年卻越來越容易。不奮斗就是每天都很容易，可一年一年越來越難。能干的人，不在情緒上計較，只在做事上認真；無能的人！不在做事上認真，只在情緒上計較。拼一個春夏秋冬！贏一個無悔人生！早安！ —————獻給所有努力的人.
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