干法腐蝕工藝培訓(xùn)講義全(參考版)
2025-06-30 06:24本頁面
【正文】 能干的人，不在情緒上計較，只在做事上認(rèn)真；無能的人！不在做事上認(rèn)真，只在情緒上計較。什么是奮斗？奮斗就是每天很難，可一年一年卻越來越容易。寧可累死在路上，也不能閑死在家里！寧可去碰壁，也不能面壁。8． PROFILE 不良例：CS4005 AL PROFILE 不良原因分析：腐蝕程序不適用（如 CL2 流量太大，PRESS 太低等）處理方法：優(yōu)化 RECIPE。7．.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手7． 顆粒例：SPACER 腐蝕顆粒原因分析：腔體內(nèi)腔壁由于有 POLYMER 聚結(jié)，腐蝕過程中有顆粒掉在硅片上，阻止進(jìn)一步腐蝕，造成局部腐蝕不干凈。6． 糊膠/塌膠原因分析：一般是由于硅片背面 He 冷卻流量太小造成反應(yīng)過程中硅片表面溫度過高引起。原因分析：腐蝕時間不足或腐蝕程序設(shè)置不恰當(dāng)。 3．來片膜厚偏薄等。原因分析：，致腐蝕時間過長。處理方法：優(yōu)化腐蝕 RECIPE；調(diào)整 AL 濺射質(zhì)量。處理方法：AL 腐蝕后及時去膠，檢查 AL 腐蝕設(shè)備的壓力及氣體組分對反應(yīng)腔的影響。處理方法：改用 P5KSIN 腐蝕 以下產(chǎn)品的 GASAD。去膠使用氣體主要為 O2，與光刻膠中的 C 反應(yīng)生成 CO，去膠溫度一般在150 度左右。我們所用的干.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手法去膠設(shè)備有 A1000（單片式） ，DES（筒式） 。去膠的基本原則是（1） 去膠后硅片表面無殘膠、殘跡；（2） 去膠工藝可靠，不損傷下層的襯底表面（3） 操作安全，簡便（4） 無公害及生產(chǎn)成本低。使用這種方法需要注意的是：須要有足夠的密度；。其物理理論是每一種物質(zhì)受到能量激發(fā)，都會發(fā)出其特定的波長?？傊彩窃诟g終點能夠發(fā)生明顯變化的參量都可以作為終點檢測的信號，形成相應(yīng)的終點檢測方法。采用終點控制可以較精確的控制腐蝕時間，屏蔽因為腐蝕速率的差異造成的時間誤差，充分實現(xiàn)腐蝕設(shè)備的自動化。 .. . . ..學(xué)習(xí)好幫手.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手第五章 干法腐蝕工藝中的終點檢測 早期的監(jiān)控方法是計時法：假定被腐蝕材料的膜厚已知，先通過實驗確定腐蝕速率，然后在工藝過程中，由計時確定終點，單由于影響腐蝕速率的因素很多（如壓力，溫度，流量，氣體比例等） ，腐蝕速率難于重復(fù)，用定時的方法不能滿足工藝要求。POLY ETCH PROCESS：STEP1BREAKTHROUGH STEP（OPTIONAL） STEP2MAIN ETCH STEP （OPTICAL EMISSION ENDPOINT） STEP3OVER ETCH STEP POLY 腐蝕工藝中需注意的是：1． POSTETCH SIDEWALL2． STRINGERS3． MICROLOADING4． UNIFORMITY.. . . ..學(xué)習(xí)好幫手5． PROFILE/CD CONTROL6． SELECTIVITY TO OXIDE7． POLYSi：PR SELECTIVITY CF4 主要用于 STEP1 ，以去除 POLY 表面的一層自然氧化層，有時在POLY 光刻之前
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