干法腐蝕工藝培訓講義全-文庫吧資料
2025-07-03 06:24本頁面
【正文】 如有一步 HF DIP，STEP1 可以不做。兩個 PROCESS CHAMBER，一個 STRIP CHAMBER。刻蝕和去膠在同一腔體，可以有效的消除 AL 的后腐蝕。 1．VIA 腐蝕一般分三步主要工藝 STEP1：OXIDE/PR=6：1STEP2：OXIDE/PR=1：2 STEP3：OXIDE/PR=2：1（1：1）OVER ETCH STEP4：腔體清洗.. . . ..學習好幫手反應機理：CHF3 CF3+H CF3 CF2+F CHF3 CHF2+F CHF2 CHF+F影響選擇比的幾個主要因素：1) CHF3/CF4 RATIO2) PRESS3) Ar FLOW4) RF5) He COOLING6) 電極溫度7) total concentration of fluorinated species2. spacer etch spacer 作用：1）實現(xiàn)注入自對準2）保護 POLY 側壁 spacer 腐蝕 STEP1：TEOS 終點控制 STEP2：LPSIN 終點控制/時間 STEP3：OVER ETCH STEP4：CLEANING 監(jiān)控 FOX 損失量/SPACER 寬度2． 孔腐蝕STEP1：ISO ETCH （AE20221）STEP2：ANISO ETCH （ASIQ/P5KOXIDE RIE ETCH）.. . . ..學習好幫手 .. . . ..學習好幫手3． Ar FILLET 二、METAL ETCH .. . . ..學習好幫手主要設備有 H200，T1612，P5KMETAL ，AME8330主要腐蝕氣體：CL2/BCL3/CF4/N21．AME8330 為多片式刻蝕系統(tǒng)，陽極為鐘罩，陰極為六面體電極，共有18 個硅片基座，LOADLOCK 可儲存硅片，自動裝片系統(tǒng)?？缀屯锥家笥辛己玫?AL 臺階覆蓋。 主要腐蝕工藝有：孔腐蝕，通孔腐蝕，SPACER 腐蝕，鈍化腐蝕等；腐蝕氣體主要為 CHF3，CF4，Ar，O2。對于 AL 腐蝕以后的去膠工藝時間間隔要求也很嚴，一般要求不超過2 小時。其原因是在光刻膠中殘留有含 CL 的反應產物，如與空氣中的濕氣就形成 HCL，使AL 繼續(xù)被腐蝕。AL 腐蝕反應腔必須設計的能防止水氣的侵入，因為腐蝕產物 ALCL3 具有準揮發(fā)性和吸水性，揮發(fā)不良的 ALCL3 可沉積在反應腔壁上，當腔壁暴露在大氣中時，ALCL3 就吸收大量的水分，再次進行腐蝕時，吸收的水分就揮發(fā)并影響腐蝕過程。通常 AL 表面總有一層約 3NM 的自然氧化層 AL2O3，它阻礙了鋁的腐蝕，使鋁的腐蝕過程變的復雜。在 CF4中加入少量 H2 可以使 CFx：F* 的濃度比增加，從而使 SiO2：Si 及Si3N4：Si 的腐蝕速率比增大。STEP6：反應生成物擴散到反應殘余氣體中一起被 PUMP 抽走。STEP4：發(fā)生化學反應。STEP2：反應基擴散到被腐蝕膜的表面。平行平板等離子腐蝕裝置的壓力為13~133Pa； 反應離子腐蝕的壓力為 ~13Pa，因此，到達陰極的正離子具有更大的能量與更強的指向陰極的方向性，因而能獲得各向異性腐蝕。RF 加在上極板。等離子腐蝕設備可以分為筒式和平板式兩種。等離子
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