【總結(jié)】半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)介——芯片是如何制作出來(lái)的基本過(guò)程?晶園制作–WaferCreation?芯片制作–ChipCreation?后封裝–ChipPackaging第1部分晶園制作多晶生成?PolySiliconCreation1–目前半導(dǎo)體制程所使用的主要原料就是晶園(Wafe
2025-08-05 03:55
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。
2025-04-29 04:54
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章?離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測(cè)量Distribution?according?
2025-03-01 12:18
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件原理一.半導(dǎo)體基礎(chǔ)二.pn結(jié)三.BJT四.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)五.MOSFET六.MS接觸和肖特基二極管七.JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件硅半導(dǎo)體表面?理想硅表面?鍵的排列從體內(nèi)到表面不變,硅體特性不受影響半導(dǎo)體器
2025-08-16 01:27
【總結(jié)】摘要摘要由于當(dāng)今能源短缺,太陽(yáng)能的無(wú)限可利用價(jià)值使其成為全世界矚目的焦點(diǎn),但一直以來(lái)太陽(yáng)能充電技術(shù)都沒(méi)有突破性進(jìn)展,光伏器件轉(zhuǎn)換效率低,蓄電池價(jià)格昂貴,因此研究光伏充電技術(shù)是非常有意義的。本論文對(duì)太陽(yáng)能充電技術(shù)進(jìn)行了較為深入的研究,以充分保護(hù)蓄電池和最大限度地增大太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率為基本設(shè)計(jì)目標(biāo),采用PIC16F877進(jìn)行智能控制,對(duì)太陽(yáng)能最大功率跟蹤技術(shù)和蓄電池的充電技術(shù)進(jìn)行
2025-06-27 20:18
【總結(jié)】半導(dǎo)體工作原理半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)我們的社會(huì)具有巨大影響。您可以在微處理器芯片以及晶體管的核心部位發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體的身影。任何使用計(jì)算機(jī)或無(wú)線電波的產(chǎn)品也都依賴于半導(dǎo)體。當(dāng)前,大多數(shù)半導(dǎo)體芯片和晶體管都使用硅材料制造。您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)“硅谷”和“硅經(jīng)濟(jì)”這樣的說(shuō)法,因?yàn)楣枋撬须娮釉O(shè)備的核心二極管可能是最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體設(shè)備,因此,如果要了解半導(dǎo)體的工作原理,二極管是一個(gè)很好的
2025-08-03 06:17
【總結(jié)】模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師:張進(jìn)成教材:模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)(第二版),孫肖子主編,西安電子科技大學(xué)出版社,2022年1月授課順序:第二篇(半導(dǎo)體器件及集成電路--原理基礎(chǔ)篇):4-10章第一篇(模擬集成電路系統(tǒng)--應(yīng)用基礎(chǔ)篇):1-3章教師聯(lián)系方式:電子郵件
2025-04-29 05:34
【總結(jié)】集成電路制造工藝期末復(fù)習(xí)要點(diǎn)?超凈加工車間等級(jí)劃分、各凈化等級(jí)適用范圍;?超凈加工車間制備方式;?超純水制備方式;薄膜制備?二氧化硅膜用途;?二氧化硅膜的制備方式(氧化法、熱分解法、氫氧合成法);?采用不同方式制備氧化膜的質(zhì)量區(qū)別;?摻氯氧化的作用;?影響氧化速度的因素(濃度、溫度、分壓、
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)本征材料:純硅9-10個(gè)N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻SbP型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié):半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(WaferFabrication;簡(jiǎn)稱WaferFab)、晶
2025-06-26 12:08
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過(guò)大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過(guò)程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過(guò)程
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2
2025-03-01 12:21
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結(jié): 半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡(jiǎn)稱WaferFab)、 晶圓針測(cè)制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構(gòu)裝(Packaging)、 測(cè)
2025-08-22 13:36
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝
2025-03-22 02:49
【總結(jié)】第四章光源主要內(nèi)容半導(dǎo)體物理簡(jiǎn)介發(fā)光二極管(LED)半導(dǎo)體激光器(LD)光源的物理基礎(chǔ)半導(dǎo)體物理原子的能級(jí)、能帶以及電子躍遷自發(fā)輻射與受激輻射半導(dǎo)體本征材料和非本征材料原子核電子高能級(jí)低能級(jí)孤立原子的能級(jí)圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的電子能量不能任意取值,只能取
2025-05-07 12:40