半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題(編輯修改稿)
2025-07-04 17:25 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 過pn結(jié)的總電流就是通過邊界的電子擴(kuò)散電流與通過邊界的空穴擴(kuò)散電流之和。當(dāng)正向偏壓時，由于載流子的擴(kuò)散運動，在和處分別形成電子和空穴的積累，形成擴(kuò)散電流，正向偏越大，擴(kuò)散電流越大，因此，在正向偏壓下，理想pn結(jié)的電流隨正向偏壓的增加增加；當(dāng)反向偏壓時，pn結(jié)中的總電流是通過勢壘區(qū)邊界和附近的少數(shù)載流子擴(kuò)散電流之和。因為少子濃度低，當(dāng)反向偏壓很大時，邊界處的少子可以認(rèn)為是0，這時少子的濃度梯度不隨電壓變化，因此擴(kuò)散流也不隨電壓變化，所以在反向偏壓下，pn結(jié)的電流較小并且趨于不變。答：當(dāng)pn結(jié)相互接觸時，在pn結(jié)附近的這些電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。，并標(biāo)明勢壘區(qū)中載流子的漂移運動和擴(kuò)散運動的方向，及勢壘高度和勢壘寬度。答：10. MIS結(jié)的反型層及形成條件答：隨著外加電壓VG的增大，表面處禁帶中央Ei可以下降到EF以下，即出現(xiàn)反型層?；虮砻嫣幧贁?shù)載流子濃度ni超過體內(nèi)多數(shù)載流子濃度即為反型。形成條件：VGVT（或Vs≥2VB）計算題1. 1014及1012cm3，試計算500 K時電子和空穴濃度n0和p0。
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