半導體物理復習思考題(編輯修改稿)
2025-07-04 17:25 本頁面
【文章內容簡介】 過pn結的總電流就是通過邊界的電子擴散電流與通過邊界的空穴擴散電流之和。當正向偏壓時，由于載流子的擴散運動，在和處分別形成電子和空穴的積累，形成擴散電流，正向偏越大，擴散電流越大，因此，在正向偏壓下，理想pn結的電流隨正向偏壓的增加增加；當反向偏壓時，pn結中的總電流是通過勢壘區(qū)邊界和附近的少數(shù)載流子擴散電流之和。因為少子濃度低，當反向偏壓很大時，邊界處的少子可以認為是0，這時少子的濃度梯度不隨電壓變化，因此擴散流也不隨電壓變化，所以在反向偏壓下，pn結的電流較小并且趨于不變。答：當pn結相互接觸時，在pn結附近的這些電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。，并標明勢壘區(qū)中載流子的漂移運動和擴散運動的方向，及勢壘高度和勢壘寬度。答：10. MIS結的反型層及形成條件答：隨著外加電壓VG的增大，表面處禁帶中央Ei可以下降到EF以下，即出現(xiàn)反型層?；虮砻嫣幧贁?shù)載流子濃度ni超過體內多數(shù)載流子濃度即為反型。形成條件：VGVT（或Vs≥2VB）計算題1. 1014及1012cm3，試計算500 K時電子和空穴濃度n0和p0。
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