半導體復(fù)習提綱(i)(編輯修改稿)
2025-07-04 17:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 擴散長度。擴散長度由擴散系數(shù)和材料的壽命所決定。材料的擴散系數(shù)有標準數(shù)據(jù)，擴散長度測量是測量壽命方法之一。 15遷移率是反映載流子在電場作用下運動難易程度物理量，而擴散系數(shù)反映存在濃度梯度時載流子運動難易程度。愛因斯坦從理論上找到了擴散系數(shù)和遷移率之間的定量關(guān)系。愛因斯坦關(guān)系式將擴散和漂移兩個過程整合 16擴散、漂移電流區(qū)別：擴散—非平衡載流子濃度梯度有關(guān) 漂移—總的載流子有關(guān) 17漂移和擴散運動同時存在時少子所遵守的運動方程，稱為連續(xù)性方程式。第6章 PN結(jié)1空間電荷區(qū)：通常把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)又叫勢壘區(qū)。2引起pn結(jié)電流電壓特性偏離理想方程的原因：表面效應(yīng)勢壘區(qū)中的產(chǎn)生及復(fù)合大注入條件串聯(lián)電阻效應(yīng)3獲取PN結(jié)方法：合金法，擴散法，注入法4內(nèi)建電場的作用，載流子作漂移運動。電子和空穴的漂移運動方向與相應(yīng)擴散運動方向相反。5 qVD稱pn結(jié)勢壘高度計算：P161.？？？6 理想pn結(jié): ?①小注入條件 ?②突變結(jié),耗盡層近似—可認為外加電壓全降落于耗盡層 ①+②222。在擴散區(qū),少子電流只需考慮擴散 ?③忽略耗盡層中的產(chǎn)生,復(fù)合 通過耗盡層時,可認為電子電流和空穴電流均保持不變 ?④玻耳茲曼邊界條件 7 理想pn結(jié)的電流電壓方程計算?。。?！9電容效應(yīng)的應(yīng)用？？？?。?10 Pn結(jié)擊穿：對pn結(jié)施加反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿。（雪崩擊穿、隧道擊穿、熱電擊穿） pn結(jié)擊穿的基本原因: 載流子數(shù)目的突然增加..11電容擊穿原理 ？？？？12擊穿機理: ?雪崩擊穿—強電場下的碰撞電離, 使載流子倍增 ?隧道擊穿—大反向偏壓下, 隧道貫穿使反向電流急劇增加 ?熱電擊穿—不斷上升的結(jié)溫, 使反向飽和電流持續(xù)地迅速增大分別怎么計算？？？13為什么勢壘區(qū)很薄得不到雪崩擊穿？？？載流子動能的增加需要一個加速過程 如果勢壘區(qū)很薄 即使電場很強 載流子在勢壘區(qū)中加速達不到產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)所必須的動能 就不能產(chǎn)生雪崩擊穿。14Pn結(jié)隧道效應(yīng)：對于兩邊都是重摻雜的pn結(jié)，隨著電壓的增大電流反而減小的現(xiàn)象稱為負阻，這一段電流電壓特性曲線的斜率為負的，這一特性為負阻特性。反向時，反向電流隨反向偏壓增大而迅速增加，由重摻雜的p區(qū)和重摻雜的n區(qū)形成的pn結(jié)稱為隧道結(jié)。15隧道效應(yīng)—能量低于勢壘的粒子有一定的幾率穿越勢壘. 這是一種量子力學效應(yīng). 隧穿幾率與勢壘的高度有關(guān), 與勢壘的厚度有關(guān). 隧道二極管—利用量子隧穿現(xiàn)象的器件效應(yīng) 第七章 金屬和半導體接觸1功函數(shù)：E0表示真空中靜止電子的能量，金屬功函數(shù)的定義是E0與EF能量差。 Wm=E0EFm 表示一個起始能量等于費米能級的電子，由金屬內(nèi)部逸出到真空中所需要的最小能量。半導體功函數(shù)是E0與費米能級EF之差 Ws=E0EFs2電子親合能表示要使半導體導帶底電子逸出體外所需要的最小能量 3 在勢壘區(qū)中，空間電荷主要由電離施主形成，電子濃度要比體內(nèi)小得多，因此它是一個高阻的區(qū)域，常稱為阻擋層。在空間電荷區(qū)中，電子濃度要比體內(nèi)大得多，因此它是一個高電導的區(qū)域，稱為反阻擋層 反阻擋層薄, 高電導, 對接觸電阻影響小 阻擋層具有整流作用 電子的阻擋層就是空穴的積累層。4厚度依賴于外加電壓的勢壘，叫肖特基勢壘5擴散理論適用于遷移率小的半導體。 熱電子發(fā)射理論得到的伏－安特性與擴散理論的一致6. 四種接觸方式？？？ ：在半導體表面，費米能級的位置由表面態(tài)決定，而與半導體摻雜濃度無關(guān)的現(xiàn)象。 整流接觸－肖特基勢壘 非整流接觸－歐姆接觸 ：利用金屬－半導體整流接觸特性制成的二極管。正向?qū)〞r，從半導體中越過界面進入金屬的電子并不發(fā)生積累，而是直接形成漂移電流而流走。因此，肖特基勢壘二極管比pn結(jié)二極管有更好的高頻特性。 10跟普通二極管的相同與不同，實際應(yīng)用？？？？都有單向?qū)щ娦?。肖特基勢壘二極管比pn結(jié)二極管有更好的高頻特性；有較低的正向?qū)妷骸? 第八章 半導體表面與MI
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