半導體物理復習劉恩科(編輯修改稿)
2025-02-09 12:26 本頁面
【文章內容簡介】 11 e xp ( )2DD D DDFNn N f EEEkT?? ??電子占據(jù)施主能級的幾率： 空穴占據(jù)受主能級的幾率： 施主能級上的電子濃度 電離施主濃度 D D Dn N n? ??半導體物理 n型硅中電子濃度與溫度關系 ?五個區(qū) ? 低溫弱電離區(qū) ? 中間電離區(qū) ? 強電離區(qū) ? 過渡區(qū) ? 高溫本征激發(fā)區(qū) ?各區(qū)特點及變化趨勢 半導體物理 ?摻有某種雜質的半導體的 載流子濃度 和 費米能級由 溫度 和 雜質濃度 所決定。 ?在雜質半導體中，費米能級的位置不但反映了 半導體導電類型 ，而且還反映了半導體的 摻雜水平 。 半導體物理 第三章 載流子輸運 ?漂移運動：電子在電場力作用下的運動 ?遷移率：單位場強下電子的平均漂移速度 ||dE?? ?電導率 電流密度 // ||n p n pJ nq E??//n p n pnq???半導體物理 散射及散射機構 ? 平均自由程：連續(xù)兩次散射間自由運動的平均路程 ? 散射機構 （ 1）電離雜質散射 3 / 2iiP N T ?? （ 2）晶格振動散射 聲學波 光學波 （ 3）其他散射：能谷散射、中性雜質散射、位錯散射 23TP ?長縱聲學波在長聲學波中起主要作用 半導體物理 電阻率與溫度的關系 載流子主要由電離雜質提供 雜質全部電離，晶格振動散射上升為主要矛盾 本征激發(fā)成為主要矛盾 半導體物理 強電場效應 ?現(xiàn)象：偏離歐姆定律 ?解釋：從載流子與晶格振動散射時的 能量交換過程 來說明 半導體物理 半導體磁電效應 與載流子濃度、溫度有關 霍爾系數(shù) 可確定半導體類型及載流子濃度 半導體物理 第四章 非平衡載流子 施加外界作用 偏離熱平衡態(tài) 產生非平衡載流子 破壞熱平衡條件 比平衡態(tài)多出來一部分載流子 半導體物理 非平衡載流子 △ n = n － n0 △ p = p － p0 n：非平衡態(tài)下的電子濃度 p：非平衡態(tài)下的空穴濃度 n0：平衡態(tài)下的電子濃度 p0：平衡態(tài)下的電子濃度 非平衡載流
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