【總結(jié)】半導體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導體?非本征半導體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會改變電子和空穴的分布。費米能級偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-01-06 14:50
【總結(jié)】導體,絕緣體和半導體物體的導電能力,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導電能力越弱。表1-1給出以電阻率來區(qū)分導體,絕緣體和半導體的大致范圍。物體電阻率導體半導體絕緣體Ω·CM10e9
2025-01-13 12:26
【總結(jié)】第八章發(fā)光二極管和半導體激光器●輻射復合與非輻射●LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導體激光器-五族化合物中觀察到輻射復合PN結(jié)發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導體激光器
2025-05-06 12:46
【總結(jié)】1第一章迄今大約有60種主要的器件以及100種與主要器件相關(guān)的變異器件。4種基本半導體器件結(jié)構(gòu)。金屬-半導體接觸(1874):整流接觸,歐姆接觸。金半場效應晶體管(MESFET):整流接觸,柵極;歐姆接觸,漏極、源極。微波器件。p-n結(jié):半導體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)結(jié)構(gòu);p-n-p雙極型晶體管(1947),p-n-p-n結(jié)構(gòu)的可控硅器件。
2025-05-07 12:40
【總結(jié)】課程主要內(nèi)容?固體晶格結(jié)構(gòu):第一章?量子力學:第二章~第三章?半導體物理:第四章~第六章?半導體器件:第七章~第十三章1緒論?什么是半導體按固體的導電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導體、半導體和絕緣體表導體、半導體和絕緣體的電阻率范圍材料導體半導體絕緣體電阻率ρ(Ωcm)<10
2025-01-13 12:25
【總結(jié)】半導體物理復習課謝靜菁手機:13212794037實驗室:87542693Email:半導體物理第一章半導體中的電子狀態(tài)?晶體結(jié)構(gòu)與共價鍵金剛石型結(jié)構(gòu)閃鋅礦型結(jié)構(gòu)纖鋅礦型結(jié)構(gòu)氯化鈉型結(jié)構(gòu)半導體物理能級與能帶電子在原子核勢場和其他電子作用下分列在不同
【總結(jié)】第十九章材料世界第二節(jié)半導體實物圖材料燈的亮暗結(jié)論塑料銅鐵竹條鉛筆芯(石墨)亮不亮不亮亮亮根據(jù)材料的導電性能:材料可分
2024-11-12 18:25
【總結(jié)】1第一章半導體中的電子狀態(tài)思考題與練習題1.比較說明孤立原子中的電子、自由電子、晶體中的電子的運動狀態(tài)?2.定性比較說明導體、絕緣體、半導體導電能力差異物理機制。3.說明描述晶體中的電子的有效質(zhì)量的物理含義,與自由電子的慣性質(zhì)量有何區(qū)別,其引入有何好處?2第三章半導體中載流子的統(tǒng)計分布思考題4.
【總結(jié)】第三章雙極結(jié)型晶體管●雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)●基本工作原理●理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸●愛伯斯-莫爾方程●緩變基區(qū)晶體管●基區(qū)擴展電阻和電流密聚●基區(qū)寬度調(diào)變效應●晶體管的頻率響應●混接型等效電路●晶體管的開關(guān)特性●擊穿電壓●P-N-P-N結(jié)構(gòu)●異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2025-05-06 12:47
【總結(jié)】第四章金屬-半導體結(jié)●肖特基勢壘●界面態(tài)對勢壘高度的影響●鏡像力對勢壘高度的影響●肖特基勢壘二極管的電流-電壓特性●肖特基勢壘二極管的結(jié)構(gòu)●金屬-絕緣體-半導體肖特基勢壘二極管●肖特基勢壘二極管和PN結(jié)二極管之間的比較●肖特基勢壘二極管的應用●歐姆接觸金屬-半導體結(jié)引言?金屬-半
【總結(jié)】半導體物理習題解答1-1.(P43)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導帶底電子有效質(zhì)量;③價帶頂電子有效質(zhì)量;④價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化。[解]①禁帶寬度Eg根據(jù)=+=0;可求出對應導帶能量
2025-06-19 17:55
【總結(jié)】半導體物理與器件?電導率和電阻率?電流密度:?對于一段長為l,截面面積為s,電阻率為ρ的均勻?qū)w,若施加以電壓V,則導體內(nèi)建立均勻電場E,電場強度大小為:對于這一均勻?qū)w,有電流密度:IJs???IVEl?//ElIVJssElsRs?????
【總結(jié)】第七章PN結(jié)本章學習要點:1.了解PN結(jié)的結(jié)構(gòu)及空間電荷區(qū)的概念;2.掌握零偏狀態(tài)下PN結(jié)的特性,包括內(nèi)建電勢、內(nèi)建電場以及空間電荷區(qū)寬度等;3.掌握反偏狀態(tài)下PN結(jié)的空間電荷區(qū)寬度、內(nèi)建電場以及PN結(jié)電容特性;4.了解非均勻摻雜PN結(jié)的特性;
2025-01-06 14:47
【總結(jié)】第二章半導體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價鍵?能級與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導體及導體。?絕緣體:電導率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導體:電導率較高,介于104S
2025-01-13 12:27
【總結(jié)】第三章半導體中載流子的統(tǒng)計分布載流子的運動載流子參與導電的電子和空穴統(tǒng)稱為半導體的載流子。載流子的產(chǎn)生本征激發(fā)電子從價帶躍遷到導帶,形成導帶電子和價帶空穴雜質(zhì)電離當電子從施主能級躍遷到導帶時產(chǎn)生導帶電子;當電子從價
2025-01-13 12:28