非平衡pn結(jié)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-03 08:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 度 np0 表示 P側(cè)熱平衡時的電子濃度 pn0 表示 N側(cè)熱平衡時的空穴濃度 Physics of Semiconductor Devices 正偏時： 正偏時 ， 外加電場與自建電場相反 ， 空間電荷區(qū)被消弱 ， 電子從 N區(qū)擴散 （ 或說注入 ） 到 P區(qū) ， 空穴從 P區(qū)擴散到 N區(qū) ， 導(dǎo)致 P側(cè)結(jié)邊緣電子濃度大于平衡值： np np0， N側(cè)結(jié)邊緣的空穴濃度大于平衡值： pn pn0，這種現(xiàn)象稱為 正向注入效應(yīng) 。 電子擴散 空穴擴散 np np0 pn pn0 P區(qū) N區(qū) Physics of Semiconductor Devices 反偏時： 外加電場與自建電場方向相同 ， 空間電荷區(qū)電場加強 ， 結(jié)邊緣空間電荷區(qū) N區(qū)邊界的空穴濃度低于平衡值： pn pn0， 使得其邊界附近的空穴就向空間電荷區(qū)擴散 ， 而且一旦進入空間電荷區(qū) ， 就立即被電場掃向 P區(qū) 。同理 ， P區(qū)邊界的電子濃度也低于平衡值： np np0， 使得其邊界附近的電子就向空間電荷區(qū)擴散 ， 而且一旦進入空間電荷區(qū) ， 就立即被電場掃向 N區(qū) 。 這種現(xiàn)象稱為 反向少子抽取作用 。 pn np 少子空穴擴散 少子電子擴散 Physics of Semiconductor Devices 四 空間電荷效應(yīng)和擴散近似 對于 N側(cè)，由于注入過量空穴的正電荷存在，建立起一瞬間電場。此電場吸引過量電子以中和注入的空穴，并使電中性得以恢復(fù)。可能有很高的過量載流子濃度而無顯著的空間電荷區(qū)。 1015+1012 電場吸引過量電子以中和注入的空穴 Physics of Semicond
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