非平衡pn結(jié)ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 ， 而且一旦進(jìn)入空間電荷區(qū) ， 就立即被電場(chǎng)掃向 N區(qū) 。 由于勢(shì)壘區(qū)電場(chǎng)削弱 ， 勢(shì)壘區(qū)的空間電荷數(shù)量將減小 ， 勢(shì)壘寬度變窄 。 一般情況下 ， 空間電荷區(qū)的電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電中性區(qū) 。 自建電場(chǎng) 外加電場(chǎng) Physics of Semiconductor Devices 內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng) ， 增高的勢(shì)壘阻擋載流子擴(kuò)散 ， 通過(guò) PN結(jié)的電流非常小 ， 結(jié)的阻抗很高 ， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性 。此電場(chǎng)吸引過(guò)量電子以中和注入的空穴，并使電中性得以恢復(fù)。 與單邊突變結(jié)不同的是 ， 其正 、 負(fù)電荷區(qū)的寬度相等 。在注入載流子的區(qū)域 ， 假設(shè)電中性條件完全滿足 ， 則少子就是僅存的一種類型載流子 。 電子擴(kuò)散 空穴擴(kuò)散 np np0 pn pn0 P區(qū) N區(qū) Physics of Semiconductor Devices 反偏時(shí)： 外加電場(chǎng)與自建電場(chǎng)方向相同 ， 空間電荷區(qū)電場(chǎng)加強(qiáng) ， 結(jié)邊緣空間電荷區(qū) N區(qū)邊界的空穴濃度低于平衡值： pn pn0， 使得其邊界附近的空穴就向空間電荷區(qū)擴(kuò)散 ， 而且一旦進(jìn)入空間電荷區(qū) ， 就立即被電場(chǎng)掃向 P區(qū) 。 稱之為正向偏壓 ， 給 PN結(jié)造成了低阻的通路 。 使得后一區(qū)域內(nèi)的電位降在與前者相比時(shí)可以忽略不計(jì) ， 外加電壓直接加于空間電荷區(qū)的兩端 ， 傳導(dǎo)電流的大小強(qiáng)烈地依賴于外加電壓的極性 。 稱為加反向電壓 ， 簡(jiǎn)稱反偏 ?？赡苡泻芨叩倪^(guò)量載流子濃度而無(wú)顯著的空間電荷區(qū)。 即： xn = xp =1/2 W 解答：線性緩變結(jié)空間電荷區(qū)的電場(chǎng)和寬度 Physics of Semiconductor Devices 0)()(?A
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