《非平衡pn結(jié)》ppt課件(文件)
【正文】 ： 則可以得到耗盡層的寬度和自建電勢(shì)為： 作業(yè) 2解答 Physics of Semiconductor Devices 線性緩變結(jié)的電場(chǎng)強(qiáng)度也是在 P區(qū)和 N區(qū)的交界面處最大 ，而邊界處為零 。 多子處于被動(dòng)的地位 ， 只限于中和少子所引起的電場(chǎng) ， 可以忽略多子的影響 。 pn np 少子空穴擴(kuò)散 少子電子擴(kuò)散 Physics of Semiconductor Devices 四 空間電荷效應(yīng)和擴(kuò)散近似 對(duì)于 N側(cè)，由于注入過(guò)量空穴的正電荷存在，建立起一瞬間電場(chǎng)。 Physics of Semiconductor Devices 結(jié)邊緣少子濃度 （ 1）自建電勢(shì)與平衡載流子濃度關(guān)系 熱平衡 PN結(jié)電位差： 腳標(biāo) 0 表示熱平衡狀態(tài) nn0 、 np0 分別表示 N側(cè)和 P側(cè)熱平衡時(shí)的電子濃度 pp0 、 pn0 分別表示 P側(cè)和 N側(cè)熱平衡時(shí)的空穴濃度： 熱平衡時(shí)載流子濃度與勢(shì)壘高度的關(guān)系 同理： 多數(shù)載流子 pp0 、 nn0 分別代替 Na、 Nd Physics of Semiconductor Devices （ 2）電勢(shì)與載流子濃度關(guān)系 正向偏壓時(shí)： 結(jié)電勢(shì) nn 、 np 分別表示 N側(cè)和 P側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 小注入時(shí)， N側(cè)注入電子的濃度遠(yuǎn)小于 nn0， 因此，假設(shè) nn = nn0 ，則： 同理： 確定空間電荷區(qū)邊緣少子濃度 P側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 N側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的空穴濃度 np0 表示 P側(cè)熱平衡時(shí)的電子濃度 pn0 表示 N側(cè)熱平衡時(shí)的空穴濃度 Physics of Se
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