《非平衡pn結》ppt課件(文件)
【正文】 ： 則可以得到耗盡層的寬度和自建電勢為： 作業(yè) 2解答 Physics of Semiconductor Devices 線性緩變結的電場強度也是在 P區(qū)和 N區(qū)的交界面處最大 ，而邊界處為零 。 多子處于被動的地位 ， 只限于中和少子所引起的電場 ， 可以忽略多子的影響 。 pn np 少子空穴擴散 少子電子擴散 Physics of Semiconductor Devices 四 空間電荷效應和擴散近似 對于 N側，由于注入過量空穴的正電荷存在，建立起一瞬間電場。 Physics of Semiconductor Devices 結邊緣少子濃度 （ 1）自建電勢與平衡載流子濃度關系 熱平衡 PN結電位差： 腳標 0 表示熱平衡狀態(tài) nn0 、 np0 分別表示 N側和 P側熱平衡時的電子濃度 pp0 、 pn0 分別表示 P側和 N側熱平衡時的空穴濃度： 熱平衡時載流子濃度與勢壘高度的關系 同理： 多數載流子 pp0 、 nn0 分別代替 Na、 Nd Physics of Semiconductor Devices （ 2）電勢與載流子濃度關系 正向偏壓時： 結電勢 nn 、 np 分別表示 N側和 P側空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 小注入時， N側注入電子的濃度遠小于 nn0， 因此，假設 nn = nn0 ，則： 同理： 確定空間電荷區(qū)邊緣少子濃度 P側空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 N側空間電荷區(qū)邊緣的空穴濃度 np0 表示 P側熱平衡時的電子濃度 pn0 表示 N側熱平衡時的空穴濃度 Physics of Se
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1