非平衡pn結(jié)ppt課件-文庫吧在線文庫
【正文】 kxdQxdE ?為 薄層內(nèi)的空間電荷的總量 雜質(zhì) 濃度 梯度，對線性緩變結(jié)是一常數(shù) ) ( ) ( Aqa xdx dx x AqN x dQ ? ? 0)( ?kq a x d xxdE ?)2()(20cxkqaxE ?? ?空間電荷區(qū)內(nèi)電場強(qiáng)度的增量為： axxNxNxN ad ??? )()()(求積分得到電場 （ 1） 電場 Physics of Semiconductor Devices 0)2(,2 ??? WEWx)2()(20cxkqaxE ?? ?028 ?kqaWc ??028 ?kqaWEM ??020282)( ?? kqaWkqaxxE ??電場強(qiáng)度分布： 邊界條件： Physics of Semiconductor Devices 緩變結(jié)的電場強(qiáng)度為拋物線分布，突變結(jié)的電場強(qiáng)度為線性分布，所以緩變結(jié)的最大電場強(qiáng)度比突變結(jié)要低，這對提高 PN結(jié)的反向擊穿電壓具有指導(dǎo)意義。 多子處于被動(dòng)的地位 ， 只限于中和少子所引起的電場 ， 可以忽略多子的影響 。 Physics of Semiconductor Devices 結(jié)邊緣少子濃度 （ 1）自建電勢與平衡載流子濃度關(guān)系 熱平衡 PN結(jié)電位差： 腳標(biāo) 0 表示熱平衡狀態(tài) nn0 、 np0 分別表示 N側(cè)和 P側(cè)熱平衡時(shí)的電子濃度 pp0 、 pn0 分別表示 P側(cè)和 N側(cè)熱平衡時(shí)的空穴濃度： 熱平衡時(shí)載流子濃度與勢壘高度的關(guān)系 同理： 多數(shù)載流子 pp0 、 nn0 分別代替 N
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