《非平衡pn結(jié)》ppt課件-文庫(kù)吧
2025-04-22 08:16 本頁(yè)面
【正文】 性 。 稱為加反向電壓 ， 簡(jiǎn)稱反偏 。 勢(shì)壘高度上升至 Physics of Semiconductor Devices 耗盡區(qū)的寬度變化為： 耗盡區(qū)的寬度變化為： 突變結(jié) 線性緩變結(jié) Physics of Semiconductor Devices 耗盡區(qū)的寬度與外加反偏壓的關(guān)系： Physics of Semiconductor Devices 三 少數(shù)載流子的注入 N P N區(qū) P區(qū) 空穴： 電子： P區(qū) N區(qū) 擴(kuò)散 擴(kuò)散 在正偏時(shí)，電子從 N區(qū)擴(kuò)散（或注入）到 P區(qū)，空穴從 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)，這種現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的正向注入效應(yīng)。 Physics of Semiconductor Devices 結(jié)邊緣少子濃度 （ 1）自建電勢(shì)與平衡載流子濃度關(guān)系 熱平衡 PN結(jié)電位差： 腳標(biāo) 0 表示熱平衡狀態(tài) nn0 、 np0 分別表示 N側(cè)和 P側(cè)熱平衡時(shí)的電子濃度 pp0 、 pn0 分別表示 P側(cè)和 N側(cè)熱平衡時(shí)的空穴濃度： 熱平衡時(shí)載流子濃度與勢(shì)壘高度的關(guān)系 同理： 多數(shù)載流子 pp0 、 nn0 分別代替 Na、 Nd Physics of Semiconductor Devices （ 2）電勢(shì)與載流子濃度關(guān)系 正向偏壓時(shí)： 結(jié)電勢(shì) nn 、 np 分別表示 N側(cè)和 P側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 小注入時(shí)， N側(cè)注入電子的濃度遠(yuǎn)小于 nn0， 因此，假設(shè) nn = nn0 ，則： 同理： 確定空間電荷區(qū)邊緣少子濃度 P側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 N側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的空穴濃
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