非平衡pn結(jié)ppt課件(完整版)
【正文】 a、 Nd Physics of Semiconductor Devices （ 2）電勢與載流子濃度關(guān)系 正向偏壓時(shí)： 結(jié)電勢 nn 、 np 分別表示 N側(cè)和 P側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 小注入時(shí)， N側(cè)注入電子的濃度遠(yuǎn)小于 nn0， 因此，假設(shè) nn = nn0 ，則： 同理： 確定空間電荷區(qū)邊緣少子濃度 P側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 N側(cè)空間電荷區(qū)邊緣的空穴濃度 np0 表示 P側(cè)熱平衡時(shí)的電子濃度 pn0 表示 N側(cè)熱平衡時(shí)的空穴濃度 Physics of Semiconductor Devices 正偏時(shí)： 正偏時(shí) ， 外加電場與自建電場相反 ， 空間電荷區(qū)被消弱 ， 電子從 N區(qū)擴(kuò)散 （ 或說注入 ） 到 P區(qū) ， 空穴從 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū) ， 導(dǎo)致 P側(cè)結(jié)邊緣電子濃度大于平衡值： np np0， N側(cè)結(jié)邊緣的空穴濃度大于平衡值： pn pn0，這種現(xiàn)象稱為 正向注入效應(yīng) 。 WW??自建電場 外加電場 勢壘高度下降至 Physics of Semiconductor Devices 正向 偏置 PN結(jié)及其能帶圖 減小的勢壘高度允許多數(shù)載流子擴(kuò)散通過 PN結(jié) ， 以至形成了大的電流 。 Physics of Semiconductor Devices 一 正向偏置及能帶圖 外加正向偏壓時(shí)，在勢壘區(qū)產(chǎn)生一個(gè)外加電場，其方向與原來的自建電場方向相反，從而消弱了勢壘區(qū)電場的強(qiáng)度。 勢壘高度上升至 Physics of Semiconductor Devices 耗盡區(qū)的寬度變化為： 耗盡區(qū)的寬度變化為：
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