非平衡pn結ppt課件(完整版)
【正文】 a、 Nd Physics of Semiconductor Devices （ 2）電勢與載流子濃度關系 正向偏壓時： 結電勢 nn 、 np 分別表示 N側和 P側空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 小注入時， N側注入電子的濃度遠小于 nn0， 因此，假設 nn = nn0 ，則： 同理： 確定空間電荷區(qū)邊緣少子濃度 P側空間電荷區(qū)邊緣的電子濃度 N側空間電荷區(qū)邊緣的空穴濃度 np0 表示 P側熱平衡時的電子濃度 pn0 表示 N側熱平衡時的空穴濃度 Physics of Semiconductor Devices 正偏時： 正偏時 ， 外加電場與自建電場相反 ， 空間電荷區(qū)被消弱 ， 電子從 N區(qū)擴散 （ 或說注入 ） 到 P區(qū) ， 空穴從 P區(qū)擴散到 N區(qū) ， 導致 P側結邊緣電子濃度大于平衡值： np np0， N側結邊緣的空穴濃度大于平衡值： pn pn0，這種現(xiàn)象稱為 正向注入效應 。 WW??自建電場 外加電場 勢壘高度下降至 Physics of Semiconductor Devices 正向 偏置 PN結及其能帶圖 減小的勢壘高度允許多數(shù)載流子擴散通過 PN結 ， 以至形成了大的電流 。 Physics of Semiconductor Devices 一 正向偏置及能帶圖 外加正向偏壓時，在勢壘區(qū)產(chǎn)生一個外加電場，其方向與原來的自建電場方向相反，從而消弱了勢壘區(qū)電場的強度。 勢壘高度上升至 Physics of Semiconductor Devices 耗盡區(qū)的寬度變化為： 耗盡區(qū)的寬度變化為：
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