非平衡pn結(jié)ppt課件-wenkub
2023-05-22 08:16:30 本頁面
【正文】 。 即： xn = xp =1/2 W 解答：線性緩變結(jié)空間電荷區(qū)的電場和寬度 Physics of Semiconductor Devices 0)()(?AkxdQxdE ?為 薄層內(nèi)的空間電荷的總量 雜質(zhì) 濃度 梯度，對線性緩變結(jié)是一常數(shù) ) ( ) ( Aqa xdx dx x AqN x dQ ? ? 0)( ?kq a x d xxdE ?)2()(20cxkqaxE ?? ?空間電荷區(qū)內(nèi)電場強(qiáng)度的增量為： axxNxNxN ad ??? )()()(求積分得到電場 （ 1） 電場 Physics of Semiconductor Devices 0)2(,2 ??? WEWx)2()(20cxkqaxE ?? ?028 ?kqaWc ??028 ?kqaWEM ??020282)( ?? kqaWkqaxxE ??電場強(qiáng)度分布： 邊界條件： Physics of Semiconductor Devices 緩變結(jié)的電場強(qiáng)度為拋物線分布，突變結(jié)的電場強(qiáng)度為線性分布，所以緩變結(jié)的最大電場強(qiáng)度比突變結(jié)要低，這對提高 PN結(jié)的反向擊穿電壓具有指導(dǎo)意義。 擴(kuò)散近似 Physics of Semiconductor Devices 令： 則空穴的連續(xù)性方程變?yōu)椋? 同理， P側(cè)電子的電流和連續(xù)性方程變?yōu)椋? 0 Physics of Semiconductor Devices 對于線性緩變結(jié)，耗盡層內(nèi)空間電荷分布可表示為： 式中， a為雜質(zhì)濃度的斜率 泊松方程改寫為
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