非平衡pn結(jié)ppt課件(更新版)
【正文】 突變結(jié) 線性緩變結(jié) Physics of Semiconductor Devices 耗盡區(qū)的寬度與外加反偏壓的關(guān)系： Physics of Semiconductor Devices 三 少數(shù)載流子的注入 N P N區(qū) P區(qū) 空穴： 電子： P區(qū) N區(qū) 擴(kuò)散 擴(kuò)散 在正偏時(shí)，電子從 N區(qū)擴(kuò)散（或注入）到 P區(qū)，空穴從 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)，這種現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的正向注入效應(yīng)。 1015+1012 電場(chǎng)吸引過(guò)量電子以中和注入的空穴 Physics of Semiconductor Devices 1012+105 注入的空穴 Physics of Semiconductor Devices 正偏時(shí) ， 注入的少數(shù)載流子是決定因素 。 思考 ？ Physics of Semiconductor Devices （ 2） 電位和空間電荷區(qū)的寬度 由于： dxxExd )()( ???cxkqaWxkqadxxEx ??????? ?0230 86)()( ???00)(0 ????? c x,x ?030 12)2()2( ???? kWqaWW ????3100 )12(qakW ???空間電荷區(qū)的電位差： 空間電荷區(qū)的寬度： P62: 221得證 Physics of Semiconductor Devices iTpn naWV2ln20 ??? ???P62: 222 ？ 0???? ad NNpnaxNN ad ??22 24（ 中性區(qū)，空間電荷得總密度為零）
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