課程總結ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-03 01:36 本頁面
【文章內容簡介】 能帶圖像 , 用表面勢取值范圍區(qū)分不同的情況。 2. 半導體空間電荷密度隨表面勢 ?S變化的典型關系。 3. 理想 MIS系統(tǒng)的 CV特性曲線 ,不同偏壓和不同頻率的 CV關系。平帶電容 , 表面耗盡區(qū)的最大寬度 , 閾值電壓。 4. 實際 MOS二極管中 , 影響理想 CV曲線的主要因素。考慮到不同因素的 平帶電壓和閾值電壓表達式。有效凈電荷。 第四章 MOSFET 1。場效應晶體管與雙極晶體管的主要區(qū)別。 2。 MOSFET, JFET, MESFET 的 基本結構、基本原理、分類、輸出特性。 3。 MOSFET的短溝道效應。 4。 影響 MOSFET閾值電壓的主要因素 ，如何調整閾值電壓 。 第五章 1。發(fā)光二極管，半導體激光器，光探測器，太陽能電池：基本結構 、 原理 。 2。 有無光照時 pn結的能帶結構 ,各電流 ,電壓的方向。 3。短路電流，開路電壓，填充因子，效率，及相互關系。 1。隧道二極管 2。碰撞電離雪崩渡越時間二極
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