【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ：l 測(cè)試時(shí)保證接線正確。l 在增加集電極電壓過(guò)程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過(guò)IC額定值幾倍以上時(shí)），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護(hù)儀器和器件。l 儀器HC端和COM端為大電流主回路，連線應(yīng)盡量短，且必須保證和器件接觸良好。l 測(cè)試結(jié)束后必須及時(shí)退出軟件，注意退出前集電極電源必須先回零，退出軟件后才能關(guān)主機(jī)。l 模塊老化測(cè)試前后室溫環(huán)境下測(cè)量VGE(th)電壓均在模塊廠商要求規(guī)格范圍內(nèi)方為合格。 IGBT內(nèi)置二極管正向壓降VF測(cè)試室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，將待測(cè)的IGBT柵射極短路。模塊測(cè)試接線方式為儀器HC端（主電流回路）及Hcsen端（電壓感測(cè)）接IGBT發(fā)射極、儀器COM端（主電流回路）及COMsen端（電壓感測(cè)）接IGBT集電極、儀器SGV端接IGBT柵極。集電極電源設(shè)置的極性選擇設(shè)為NPN+HC脈沖，峰值功率選擇設(shè)為3kW。階梯發(fā)生器設(shè)置的階數(shù)設(shè)為0，顯示設(shè)置中的水平檔設(shè)為VCE、500mV/格，垂直檔按需求設(shè)置。測(cè)量方法先設(shè)為單次方式，點(diǎn)擊軟件的開始測(cè)試按鈕，將集電極電源掃描調(diào)節(jié)設(shè)為合適檔位（一般可設(shè)為1），緩慢地增加集電極電源的掃描電壓。觀察電流，使電流達(dá)到1~2倍的IF額定值左右時(shí)（由于儀器的限制，電流最大不可超過(guò)400A），再把測(cè)量方法設(shè)為掃描方式，并設(shè)置合適的掃描步長(zhǎng)。讀取電流在IF額定值時(shí)候的電壓數(shù)據(jù)，此電壓即為實(shí)際VF。完成模塊高低溫沖擊測(cè)試后，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上步驟重新測(cè)試內(nèi)置二極管正向壓降VF。測(cè)試過(guò)程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測(cè)試多管IGBT時(shí)，必須同時(shí)將每個(gè)管子的柵射極獨(dú)立短路。l 測(cè)試時(shí)保證接線正確。l 在增加集電極電壓過(guò)程中，一旦發(fā)現(xiàn)電流突然迅猛增大（突然超過(guò)IC額定值幾倍以上時(shí)），必須直接將集電極電源電壓歸零，以保護(hù)儀器和器件。l 儀器HC端和COM端為大電流主回路，連線盡量短，而且必須保證和器件接觸良好。l 測(cè)試100A以上時(shí)，使用4分鐘儀器要休息10分鐘以上。l 測(cè)試結(jié)束必須及時(shí)退出軟件，退出前集電極電源必須先回零，退出軟件后再關(guān)主機(jī)。l 模塊老化測(cè)試前后室溫環(huán)境下測(cè)量VF電壓均小于模塊廠商規(guī)格的最大允許值方為合格。 Ices和IR測(cè)試評(píng)判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，確認(rèn)模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。25℃85℃120℃℃4H4H12Ht在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，將待測(cè)的IGBT門極端子短路，分別在輸入/輸出主端子與直流側(cè)主端子之間反向施加測(cè)試電壓。測(cè)試電壓等級(jí)為廠商器件數(shù)據(jù)表給定的Vces/VRRM值。電壓上升時(shí)間設(shè)定為10S，電壓持續(xù)時(shí)間為60S，電壓下降時(shí)間設(shè)定為10S，漏電流上限設(shè)定為Ices或IR值，漏電流下限設(shè)定為0。記錄測(cè)試過(guò)程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下Ices和IR測(cè)試后，將模塊放置于溫箱中設(shè)定溫度85℃、濕度85%，模塊在設(shè)置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時(shí)，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測(cè)試步驟進(jìn)行Ices和Ir測(cè)試。并記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成濕熱（溫度85℃、濕度85%）環(huán)境下Ices和IR測(cè)試后，將模塊放置于溫箱中設(shè)定溫度120℃，模塊在設(shè)置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時(shí)，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測(cè)試步驟進(jìn)行Ices和IR測(cè)試。并記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成高溫（溫度120℃）環(huán)境下Ices和IR測(cè)試后，將模塊放置于室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，模塊在室溫環(huán)境放置12小時(shí)后，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上測(cè)試步驟進(jìn)行Ices和IR測(cè)試。并記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。測(cè)試過(guò)程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測(cè)試所用電源誤差小于177。2%測(cè)試電壓。l 測(cè)試多管IGBT時(shí)，必須同時(shí)將每個(gè)管子的門極端子獨(dú)立短路。l 測(cè)試時(shí)保證接線正確，在測(cè)試樣品旁邊放高壓警示，注意人身安全。l 測(cè)試完成后必須使儀器復(fù)位；測(cè)試結(jié)束后須及時(shí)關(guān)閉儀器。l Ices和IR測(cè)試包括模塊中所有晶元。Ices和Ir測(cè)試應(yīng)同時(shí)滿足以下要求方為合格：l 室溫環(huán)境下：測(cè)試電壓為額定Vces/VRRM時(shí)，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 濕熱環(huán)境下：測(cè)試電壓為額定Vces/VRRM時(shí)，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 高溫環(huán)境下：測(cè)試電壓為額定Vces/VRRM時(shí)，漏電流≤常溫Ices/IR的3倍。注：如器件資料中給定了85℃或120℃時(shí)Ices和IR的值，則依器件Ices和IR的值判定；如器件資料中未給定85℃或120℃時(shí)Ices和IR的值，則以上述標(biāo)準(zhǔn)判定。評(píng)判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，確認(rèn)模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。25℃85℃120℃℃4H4H12Ht在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下測(cè)試，將IGBT模塊主端子和門極端子分別短接起來(lái)，在主端子的短接線和模塊基板之間施加測(cè)試電壓。測(cè)試電壓等級(jí)為廠商器件數(shù)據(jù)表給定的VISO/VISOL和安規(guī)耐壓測(cè)試等級(jí)中的最大值。安規(guī)耐壓測(cè)試等級(jí)請(qǐng)參見(jiàn)表二：表二：安規(guī)耐壓測(cè)試等級(jí)電壓表系統(tǒng)電壓等級(jí)耐壓測(cè)試電壓等級(jí)系統(tǒng)電壓等級(jí)耐壓測(cè)試電壓等級(jí)ACDCACDC2201500212066018002550380150021206901800255059018002550114035004800電壓等級(jí)可采用內(nèi)差法計(jì)算。耐壓測(cè)試時(shí)，模塊所有端子的短接端作為一極，模塊基板作為另一極。電壓上升時(shí)間設(shè)定為10S，電壓持續(xù)時(shí)間為60S，電壓下降時(shí)間設(shè)定為10S，漏電流上限設(shè)定為5mA，漏電流下限設(shè)定為0mA。記錄測(cè)試過(guò)程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下耐壓測(cè)試以及模塊老化測(cè)試后，將模塊放置于溫箱中設(shè)定溫度85℃、濕度85%，模塊在設(shè)置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時(shí)，保持溫濕度環(huán)境不變按照以上測(cè)試步驟進(jìn)行耐壓測(cè)試。記錄測(cè)試過(guò)程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成濕熱（溫度85℃、濕度85%）環(huán)境下耐壓測(cè)試后，將模塊放置于溫箱中設(shè)定溫度120℃，模塊在設(shè)置溫濕度環(huán)境穩(wěn)定后保持4小時(shí)，保持溫度環(huán)境不變按照以上測(cè)試步驟進(jìn)行耐壓測(cè)試。記錄測(cè)試過(guò)程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。完成以上設(shè)定環(huán)境下耐壓測(cè)試后，將模塊放置于室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下，模塊在室溫環(huán)境穩(wěn)定后保持12小時(shí)，在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下按照以上測(cè)試步驟進(jìn)行耐壓測(cè)試。記錄測(cè)試過(guò)程的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。測(cè)試過(guò)程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測(cè)試所用電源誤差小于177。2%測(cè)試電壓。l 按照儀器使用說(shuō)明書正確接線。l 在如果功率模塊集成了整流、逆變單元，整流模塊絕緣測(cè)試和逆變模塊絕緣測(cè)試可以合并進(jìn)行，但注意另外把IGBT的門極端子全部短接好，在主端子和基板之間施加測(cè)試電壓。l 耐壓測(cè)試結(jié)束，模塊未擊穿損壞，且漏電流≤2mA，方為測(cè)試合格。評(píng)判模塊晶體管電特性是否符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，確認(rèn)模塊晶體管電特性與廠商宣稱規(guī)格一致性。高溫（85℃，濕度85%）環(huán)境下，將門極端子短路好的IGBT樣品，在輸入/輸出功率端子與直流側(cè)功率端子之間，分別施加廠商器件數(shù)據(jù)表給定的Vces/VRRM測(cè)試電壓，維持此種狀態(tài)持續(xù)4小時(shí)。如模塊正常，則維持溫度不變?nèi)缓蠓謩e進(jìn)行規(guī)范“ Ices和IR測(cè)試”中高溫85℃時(shí)的Ices/IR測(cè)試，和“”中高溫85℃時(shí)的絕緣耐壓測(cè)試，并記錄測(cè)試過(guò)程中的最大漏電流，具體數(shù)據(jù)記錄格式請(qǐng)參見(jiàn)附表4. Ices和IR及絕緣數(shù)據(jù)記錄表。注：此項(xiàng)測(cè)試可在 “ Ices和IR測(cè)試”中高溫85℃測(cè)試完成后直接進(jìn)行。測(cè)試過(guò)程中需要注意以下事項(xiàng)：l 測(cè)試所用電源誤差在177。1%以內(nèi)。l 測(cè)試多管IGBT時(shí)，必須同時(shí)將每個(gè)管子的門極端子獨(dú)立短路。l 測(cè)試時(shí)保證接線正確，注意人身安全。須在測(cè)試樣品旁邊放高壓警示，避免旁人靠近測(cè)試樣品。l 測(cè)試完成后必須使儀器復(fù)位，測(cè)試結(jié)束后須及時(shí)關(guān)閉儀器。l 高溫電應(yīng)力老化測(cè)試須包括模塊中所有晶元。l IGBT功能性正常，無(wú)損壞。l 高溫（85℃）環(huán)境下，測(cè)試電壓為額定Vces/VRRM時(shí)，漏電流≤額定常溫Ices/IR。l 高溫（85℃）環(huán)境下：測(cè)試電壓為額定VISO時(shí)，漏電流≤2mA。對(duì)IGBT模塊施加溫度老化應(yīng)力，確認(rèn)IGBT模塊各項(xiàng)性能指標(biāo)在老化試驗(yàn)前后一致性。完成規(guī)范中室溫（25℃177。2℃）模塊測(cè)試后，將模塊放到溫度沖擊箱中，進(jìn)行40℃—120℃溫度沖擊測(cè)試。高低溫駐留時(shí)間為30分鐘，共進(jìn)行12個(gè)溫度沖擊循環(huán)。溫度沖擊循環(huán)測(cè)試結(jié)束后，將模塊在室溫（25℃177。2℃）環(huán)境下恢復(fù)12小時(shí)，然后分別進(jìn)行規(guī)范“ Ices和IR測(cè)試”中常溫25℃時(shí)的Ices/IR測(cè)試，和“”中常溫25℃時(shí)的絕緣耐壓測(cè)試，以及“”中的測(cè)試項(xiàng)