igbt模塊使用上的注意事項(xiàng)(編輯修改稿)
2024-10-11 07:18 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 分場(chǎng)合，實(shí)際運(yùn)行在中等水平時(shí)，也有可能超過(guò)器件允許溫度而導(dǎo)致器件損壞。 6. 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 嚴(yán)格地說(shuō)，能否充分利用器件的性能，關(guān)鍵取決於驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。此外，也與保護(hù)電路設(shè)計(jì)密切相關(guān)。 要使器件處 於開(kāi)通狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)為正向偏置，關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，應(yīng)為反向偏置，根據(jù)各自的設(shè)定條件，可以改變器件的特性。此處由於驅(qū)動(dòng)電路的接線方法不同，器件有可能產(chǎn)生誤動(dòng)作。 7. 并聯(lián)問(wèn)題 用於大容量逆變器等控制大電流場(chǎng)合使用 IGBT 模塊時(shí)，可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。 并聯(lián)時(shí)，要使每個(gè)器件流過(guò)均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達(dá)到破壞，那麼電過(guò)於集中的那個(gè)器件將可能被損壞。 為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的 VCE(sat)相同的并聯(lián)是很重要的。 8. 另裝 時(shí)的注意事項(xiàng) 在實(shí)際安裝 IGBT 模塊時(shí)，請(qǐng)?zhí)貏e注意如下幾點(diǎn)： 1. 安裝散熱片時(shí)，在模塊里面涂以熱復(fù)合材料，并充分固定牢。另外 冷卻體原件安裝表面的加工方面，要保此粗糙度在 10mm 以下，平面度在 0100mm 以內(nèi)。 2. 在模塊電極端子部份，接線時(shí)請(qǐng)勿加過(guò)大的應(yīng)力。 9. 保管及運(yùn)輸時(shí)的注意事項(xiàng) 1. 保管 a. 保存半導(dǎo)體原件的場(chǎng)所的溫度，溫度，應(yīng)保持在常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為 5－ 35“C，常濕的規(guī)定為 45—75％左右。特別是模塊化的功率半導(dǎo)體管 的場(chǎng)合，在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕。 b. 盡量遠(yuǎn)離產(chǎn)生腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合。 c. 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所裝置表面含有結(jié)露水的情況出現(xiàn)，應(yīng)避開(kāi)這種場(chǎng)所，盡量放在溫度變化小的地方。 d. 保管時(shí)，須注意不要在半導(dǎo)體器件上加重荷，特別是在堆放狀態(tài)，需注意負(fù)荷不能太重，其上也不能加重物。 e. 外部端子，請(qǐng)?jiān)谖醇庸さ臓顟B(tài)下保管。若有銹蝕，在焊接時(shí)會(huì)有不良的情況產(chǎn)生，所以要盡可能地避免這種情況。
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