igbt模塊的原理(編輯修改稿)
2024-10-11 11:10 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 管模塊脫開電路后（或?yàn)樾沦?gòu)進(jìn)的模塊），可采用測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管子（ MOSFET） 方法來(lái)測(cè)試了。 MOSFET 的柵陰極間有一個(gè)結(jié) 電容的存在，故由此決定了極高的輸入阻抗和電荷保持功能。可利用此一特點(diǎn)有效地檢測(cè) IGBT 管子的好壞。 方法是：將指針式萬(wàn)用表打到 x10k 檔，黑表接 C 極，紅表筆接 E 極，此時(shí)所測(cè)量電阻值近乎無(wú)窮大；搭好表筆不動(dòng)，用手指將 C極與 G極碰一下并拿開，指示由無(wú)窮大阻值降為 200k左右；過幾十秒鐘甚至于更長(zhǎng)一點(diǎn)的時(shí)間，再測(cè)一下 C、 E間電阻（仍是黑表筆接 C 極），仍能保護(hù) 200k左右的電阻不變；搭好表筆不動(dòng)，用手指短接一下 G、 E極， C、 E極之間的電阻又重新變?yōu)榻咏鼰o(wú)窮大。 （當(dāng)然， E 極搭黑筆， C極搭紅筆，是一只二極管的正向電阻的阻值了。如呈開路狀態(tài)，說明 IGBT 管子也是壞的了。以下將此一測(cè)量過程略去。） 實(shí)際上，用手指碰一下 C、 G，是給柵、陰結(jié)電容充電，拿開手指后，因此電容無(wú)放電回路，故電容上的電荷能保持一段時(shí)間。此電容上的充電電壓，為正向激勵(lì)電壓，使 IGBT 管子出現(xiàn)微導(dǎo)通， C、 E 之間的電阻減??；第二次用手指短接 G、 E 時(shí)，提供了電容的放電通路
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