igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義(編輯修改稿)
2024-08-10 16:15 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 應(yīng)的電流可簡(jiǎn)單用下圖所示：第1階段：柵級(jí)電流對(duì)電容CGE進(jìn)行充電，柵射電壓VGE上升到開啟閾值電壓VGE(th)。這個(gè)過(guò)程電流很大，甚至可以達(dá)到幾安培的瞬態(tài)電流。在這個(gè)階段，集電極是沒(méi)有電流的，極電壓也沒(méi)有變化，這段時(shí)間也就是死區(qū)時(shí)間，由于只對(duì)GE電容充電，相對(duì)來(lái)說(shuō)這是比較容易計(jì)算的，由于我們采用電壓源供電，這段曲線確實(shí)是一階指數(shù)曲線。第2階段：柵極電流對(duì)Cge和Cgc電容充電，IGBT的開始開啟的過(guò)程了，集電極電流開始增加，達(dá)到最大負(fù)載電流電流 IC，由于存在二極管的反向恢復(fù)電流，因此這個(gè)過(guò)程與MOS管的過(guò)程略有不同，同時(shí)柵極電壓也達(dá)到了米勒平臺(tái)電壓。第3階段：柵極電流對(duì)Cge和 Cgc電容充電，這個(gè)時(shí)候VGE是完全不變的，值得我們注意的是Vce的變化非?？?。第4階段：柵極電流對(duì)Cge和Cgc電容充電，隨著Vce緩慢變化成穩(wěn)態(tài)電壓，米勒電容也隨著電壓的減小而增大。Vge仍舊維持在米勒平臺(tái)上。第5階段：這個(gè)時(shí)候柵極電流繼續(xù)對(duì)Cge充電，Vge電壓開始上升，整個(gè)IGBT完全打開。我的一個(gè)同事在做這個(gè)將整個(gè)過(guò)程等效為一階過(guò)程。如果以這個(gè)電路作為驅(qū)動(dòng)電路的話：驅(qū)動(dòng)的等效電路可以表示為：利用RC的充放電曲線可得出時(shí)間和電阻的功率。這么算的話，就等于用指數(shù)曲線，代替了整個(gè)上升過(guò)程，結(jié)果與等效的過(guò)程還是有些差距的。，，而且電容兩端的電壓時(shí)刻在變化，我們無(wú)法完全整理出一條思路來(lái)。很多供應(yīng)商都是推薦使用Qg來(lái)做運(yùn)算，計(jì)算方法也可以整理出來(lái)，唯一的變化在于Qg是在一定條件下測(cè)定的，我們并不知道這種做法的容差是多少。我覺(jué)得這種做法的最大的問(wèn)題是把整個(gè)Tsw全部作為充放電的時(shí)間，對(duì)此還是略有些疑惑的。說(shuō)說(shuō)我個(gè)人的看法，對(duì)這個(gè)問(wèn)題，定量的去計(jì)算得到整個(gè)時(shí)間非常困難，其實(shí)就是仿真也是通過(guò)數(shù)字建模之后
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