igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義-免費(fèi)閱讀
【正文】 死區(qū)時(shí)間（空載時(shí)間）設(shè)置在控制中，人為加入上下橋臂同時(shí)關(guān)斷時(shí)間，以保證驅(qū)動(dòng)的安全性。當(dāng)控制板和IGBT控制端子不能直接連接時(shí)，考慮用雙股絞線(2轉(zhuǎn)/CM小于3CM長(zhǎng))或帶狀線，同軸線進(jìn)行連接。10%的正柵極電壓，可產(chǎn)生完全飽和，而且開(kāi)關(guān)損耗最小，當(dāng)12V時(shí)通態(tài)損耗加大，20V時(shí)難以實(shí)現(xiàn)過(guò)流及短路保護(hù)。柵極驅(qū)動(dòng)的改進(jìn)歷程和辦法（針對(duì)米勒平臺(tái)關(guān)斷特性）IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用3很多供應(yīng)商都是推薦使用Qg來(lái)做運(yùn)算，計(jì)算方法也可以整理出來(lái)，唯一的變化在于Qg是在一定條件下測(cè)定的，我們并不知道這種做法的容差是多少。第3階段：柵極電流對(duì)Cge和 Cgc電容充電，這個(gè)時(shí)候VGE是完全不變的，值得我們注意的是Vce的變化非?？臁５谝欢问前凑誐OS管關(guān)斷的特性的第二段是在MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體管上存儲(chǔ)的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間。IGBT 的資料有很多，如果想找，可以在baidu文檔里面找中文的資料，也可以在google找pdf的英文資料。粗略看起來(lái)較為詳細(xì)的有：富士IGBT應(yīng)用手冊(cè)，三菱第五代IGBT應(yīng)用手冊(cè)。在上面的表格中，定義了了：關(guān)斷時(shí)間 Toff，除了表格中以外，還定義trv為DS端電壓的上升時(shí)間和關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)。第4階段：柵極電流對(duì)Cge和Cgc電容充電，隨著Vce緩慢變化成穩(wěn)態(tài)電壓，米勒電容也隨著電壓的減小而增大。我覺(jué)得這種做法的最大的問(wèn)題是把整個(gè)Tsw全部作為充放電的時(shí)間，對(duì)此還是略有些疑惑的。 前面都講了一些計(jì)算的東西，這次總結(jié)一些設(shè)計(jì)法則。關(guān)斷偏壓5到15V目的是出現(xiàn)噪聲仍可有效關(guān)斷，并可減小關(guān)斷損耗最佳值約為8～10V。柵極保護(hù)為了保險(xiǎn)起見(jiàn)，可采用TVS等柵極箝位保護(hù)電路，考慮放置于靠近IGBT模塊的柵極和發(fā)射
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