igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義-文庫吧
2025-06-29 16:15 本頁面
【正文】 工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開關(guān)特性）。動(dòng)態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：IGBT的開通過程IGBT 在開通過程中，分為幾段時(shí)間，也是分為三段的充電時(shí)間，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過程中增加了一段延遲時(shí)間。在上面的表格中，定義了了：開通時(shí)間Ton，除了這兩個(gè)時(shí)間以外，:=IGBT在關(guān)斷過程IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。第一段是按照MOS管關(guān)斷的特性的第二段是在MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體管上存儲(chǔ)的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長的尾部時(shí)間。在上面的表格中，定義了了：關(guān)斷時(shí)間 Toff，除了表格中以外，還定義trv為DS端電壓的上升時(shí)間和關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)。漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。從下面圖中可看出詳細(xì)的柵極電流和柵極電壓，CE電流和CE電壓的關(guān)系：從另外一張圖中細(xì)看MOS管與IGBT管柵極特性可能更有一個(gè)清楚的概念：開啟過程關(guān)斷過程IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用2 嘗試去計(jì)算IGBT的開啟過程，主要是時(shí)間和門電阻的散熱情況。 柵極發(fā)射極電容 集電極發(fā)射極電容 門級(jí)集電極電容（米勒電容）Cies = CGE + CGC 輸入電容Cres = CGC 反向電容Coes = CGC + CCE 輸出電容根據(jù)充電的詳細(xì)過程，可以下圖所示的過程進(jìn)行分析對(duì)
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