igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義(更新版)
【正文】 路的效率有較大的影響。柵極電阻值大——充放電較慢，開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗增大。電阻抗脈沖能力我們選電阻的大小是為了提供足夠的電流，也是為了足夠自身散熱情況。如果以這個(gè)電路作為驅(qū)動(dòng)電路的話：驅(qū)動(dòng)的等效電路可以表示為：利用RC的充放電曲線可得出時(shí)間和電阻的功率。這個(gè)過程電流很大，甚至可以達(dá)到幾安培的瞬態(tài)電流。IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開關(guān)特性）。n 更多資料請?jiān)L問.(.....)更多企業(yè)學(xué)院：...../Shop/《中小企業(yè)管理全能版》183套講座+89700份資料...../Shop/《總經(jīng)理、高層管理》49套講座+16388份資料...../Shop/《中層管理學(xué)院》46套講座+6020份資料理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示： 嘗試去計(jì)算IGBT的開啟過程，主要是時(shí)間和門電阻的散熱情況。 反向電容Coes = CGC + CCE 輸出電容根據(jù)充電的詳細(xì)過程，可以下圖所示的過程進(jìn)行分析對應(yīng)的電流可簡單用下圖所示：第1階段：柵級電流對電容CGE進(jìn)行充電，柵射電壓VGE上升到開啟閾值電壓VGE(th)。我的一個(gè)同事在做這個(gè)將整個(gè)過程等效為一階過程。對于門級電阻來說，每次開關(guān)都屬于瞬態(tài)功耗，可以使用以前介紹過的電阻的瞬態(tài)功率進(jìn)行驗(yàn)算吧。缺點(diǎn)是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小，易產(chǎn)生寄生振蕩。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中di/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。要減少器件之間的寄生電容，避免產(chǎn)生耦合噪聲。IGBT 柵極引起的問題列表（紅色部分圈注的）：6 / 6
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