igbt基礎(chǔ)與運用講義(存儲版)
【正文】 極控制端子附近。死區(qū)時間大，模塊工作更加可靠，但會帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，因為一個橋臂未完全關(guān)斷，而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài)，直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重（最好的結(jié)果是過熱）?？刂瓢迮c柵極驅(qū)動電路需要防止功率電路和控制電路之間的電感耦合。一般的：開通電壓15V177?？蛰d的和帶負(fù)載的，可能情況有很大的差異。，而且電容兩端的電壓時刻在變化，我們無法完全整理出一條思路來。第2階段：柵極電流對Cge和Cgc電容充電，IGBT的開始開啟的過程了，集電極電流開始增加，達到最大負(fù)載電流電流 IC，由于存在二極管的反向恢復(fù)電流，因此這個過程與MOS管的過程略有不同，同時柵極電壓也達到了米勒平臺電壓。在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，除了這兩個時間以外，:=IGBT在關(guān)斷過程IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?..../Shop/《銷售經(jīng)理學(xué)院》56套講座+ 14350份資料...../Shop/《銷售人員培訓(xùn)學(xué)院》72套講座+ 4879份資料...../Shop/籌備了一段時間，也找了不少的資料將準(zhǔn)備開始整理和學(xué)習(xí)IGBT的材料。而英飛凌的網(wǎng)站上的資料也較為齊整，都是英文的兄弟們可參詳。漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又稱為存儲時間。Vge仍舊維持在米勒平臺上。說說我個人的看法，對這個問題，定量的去計算得到整個時間非常困難，其實就是仿真也是通過數(shù)字建模之后進行實時計算的結(jié)果，這個模型與實際的條件進行對比也可能有很大的差距。柵極電阻：其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生電感與電容振蕩
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