igbt基礎(chǔ)與運(yùn)用講義(專業(yè)版)
【正文】 要減少器件之間的寄生電容，避免產(chǎn)生耦合噪聲。缺點(diǎn)是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小，易產(chǎn)生寄生振蕩。我的一個(gè)同事在做這個(gè)將整個(gè)過(guò)程等效為一階過(guò)程。 嘗試去計(jì)算IGBT的開(kāi)啟過(guò)程，主要是時(shí)間和門電阻的散熱情況。n 更多資料請(qǐng)?jiān)L問(wèn).(.....)更多企業(yè)學(xué)院：...../Shop/《中小企業(yè)管理全能版》183套講座+89700份資料...../Shop/《總經(jīng)理、高層管理》49套講座+16388份資料...../Shop/《中層管理學(xué)院》46套講座+6020份資料如果以這個(gè)電路作為驅(qū)動(dòng)電路的話：驅(qū)動(dòng)的等效電路可以表示為：利用RC的充放電曲線可得出時(shí)間和電阻的功率。柵極電阻值大——充放電較慢，開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗增大。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。耦合干擾與噪聲IGBT的開(kāi)關(guān)會(huì)使用相互電位改變，PCB板的連線之間彼此不宜太近，過(guò)高的dv/dt會(huì)由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。柵極電阻值小——充放電較快，能減小開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗，增強(qiáng)工作的耐固性，避免帶來(lái)因dv/dt的誤導(dǎo)通。第5階段：這個(gè)時(shí)候柵極電流繼續(xù)對(duì)Cge充電，Vge電壓開(kāi)始上升，整個(gè)IGBT完全打開(kāi)。從下面圖中可看出詳細(xì)的柵極電流和柵極電壓，CE電流和CE電壓的關(guān)系：從另外一張圖中細(xì)看MOS管與IGBT管柵極特性可能更有一個(gè)清楚的概念：開(kāi)啟過(guò)程關(guān)斷過(guò)程IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用2...../Shop/《國(guó)學(xué)智慧、易經(jīng)》46套講座...../Shop/《人力資源學(xué)院》56套講座+27123份資料...../Shop/《各階段員工培訓(xùn)學(xué)
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