英飛凌各代igbt模塊技術(shù)詳解(編輯修改稿)
2025-08-11 03:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 PCB 版上（注：這種結(jié)構(gòu)在變頻器應用中早已成熟，并大量使用）。總 之，EUPEC IGBT 模塊中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工藝，平面柵結(jié)構(gòu)，是第二 代 NPTIGBT。三、IGBT3 IGBT3－溝槽柵(Trench Gate) 在平面柵工藝中，電流流向與表面平行時，電流必須通過柵極下面的 p 阱區(qū)圍起來的一個 結(jié)型場效應管（JFET），它成為電流通道的一個串連電阻，在溝槽柵結(jié)構(gòu)中，這個柵下面的 JFET 通過干法刻蝕工藝消除了，因此形成了垂直于硅片表面的反型溝道。這樣 IGBT 通態(tài)壓降 中剔除了 JFET 這部分串聯(lián)電阻的貢獻，通態(tài)壓降可大大降低。Infineon／EUPEC 1200V IGBT3 飽和壓降 VCE(sat)＝。電場終止層（Field Stop）技術(shù)是吸收了 PT、NPT 兩類器件的優(yōu)點。 在 FS 層中其摻雜濃度比 PT 結(jié)構(gòu)中的 n＋緩沖層摻雜濃度低，但比基區(qū) n—層濃度高，因此基區(qū) 可以明顯減?。梢詼p薄 1/3 左右），還能保證飽和壓降具有正溫度系數(shù)。由于仍然是在區(qū)熔 單晶硅中（沒有外延）制作 FS 層，需進行離子雙注入，又要確保飽和壓降的正溫度系數(shù)，工 藝難度較大。圖 溝槽柵＋FS IGBT 結(jié)構(gòu)圖EUPEC 第三代 IGBT 有兩種系列。后綴為“KE3”的是低頻系列，其最佳開關(guān)頻率為 1K －8KHz。1200V IGBT 飽和壓降 VCE(sat)＝，最適合于變頻器應用。在變頻器應用中，北京 晶川公司在中國已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基礎(chǔ)上，采用 淺溝槽和優(yōu)化“FS”層離子注入濃度、厚度以及集電區(qū)摻雜濃度等，又開發(fā)出高頻系列，以 后綴“KT3”為標志。EUPEC“KT3”系列在飽和壓降不增加的情況下，開關(guān)頻率可提
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