擴散作業(yè)ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 02:54 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 為： 2211122tDtDCC SS ??根據(jù)3182122153152211126050/6010/1042?????????????????cmsscmsscmcmtDtDCCSS?所求的再分布時的結(jié)深為： mcmcmcmsscmtDCCtDAxBSj?)l n (6050/)][ l n (242131631821222212222?????????????????cmSCcmCcmCSSB/25~,3182316????????? 曲線得知：查圖時當對于高斯分布??????? ?? /j?所求的再分布時的方塊電阻為： ,1jxR ???根據(jù)）依爾芬曲線（ ?~SC 硅 IC采用的 N型外延層的電阻率為 ? cm ，要求基區(qū)硼擴散的 結(jié)深為 2?m，方塊電阻為 200Ω/□ ；現(xiàn)采用兩步擴散方式，試分別確定預淀積和 再分布的 溫度和 時間。 解 : 思路： 從已知條件入手 : xj2= 2?m和 R□ 2=200Ω/□ ① 先利用 xj2= 2?m和 R□ 2=200Ω/□ 的關(guān)系計算出 ?2， 并利用 ? ~CS2的關(guān)系曲線查出 CS2，再用 xj2與 CS2 和 D(T2)的關(guān)系確定 t2。 ② 利用 CS2和 T2及 t2計算出雜質(zhì)劑量 Q0，再根據(jù) Q0 與 t1的關(guān)系求出 t1。 或者 利用 CS2與 T2及 t2和 T1及 t2 的關(guān)系，直接指定 T1 再求出 t1。 經(jīng)驗值： T1=800~1000℃, t1?10min。T21000℃, t2 ? 60min. 3182316105/25,~???????cmCcmScmCCSBS時，當曲線得知：對高斯分布查圖??jj xRxR ?????1,1 ?? 得到根據(jù)cmScmxRj/25102/200 11 4222 ???????? ???擴散層的電導率為： )l n (4)][ l n (22222222212222BSjBSjCCDxttDCCtDAx???? 可得根據(jù)由上式可知：當溫度 T2確定后，則 擴散系數(shù) D2(T2) 便可確定，從而擴散時間 t2也可確定。 根據(jù)題意知： N型外延層的電阻率為 ? cm ； 查圖 ρ~CB知，當 ρ = 18
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