擴(kuò)散作業(yè)ppt課件(已修改)
2025-05-11 02:54 本頁面
【正文】 第二 章 習(xí)題解答 電子工程系 王彩琳 某數(shù)字 IC的埋層采用銻箱法擴(kuò)散，溫度為 1200℃ ，擴(kuò)散時間為 2h， (1)P型硅襯底的電阻率為 8? cm，求 n+埋層的厚度； (2)忽略襯底摻雜的補(bǔ)償作用，求 n+埋層的平均雜質(zhì)濃度和方塊電阻 。 解 : 由于銻箱法擴(kuò)散屬于 恒定表面源擴(kuò)散 ，因此它遵循 余誤差分布 。 根據(jù)題意 , pSi襯底的 ?為 8? cm, 查圖 ρ~CB知，當(dāng) ρ = 8Ω cm時 , CB = 1015cm3 ； 查圖 D~T可知 , 當(dāng)擴(kuò)散 T=1200℃ ， Sb的 D=3 1013cm2/s。 查圖 CSOl~T可知 , 當(dāng)擴(kuò)散 T=1200℃ ， CSOl=6 1019cm3 pSi n+Si pEPI nb pe 銻擴(kuò)散 2 5 2 5 ρ~CB 的關(guān)系曲線 雜質(zhì)硅中的固溶度 雜質(zhì)在 111硅中的擴(kuò)散系數(shù) lnD~1/T的關(guān)系 )C(2)C(C)C(2B1B15BB1??????????SSSSCe rf cACe rf cCCe rf cA所以，查出時，計算：當(dāng)也可用公式41519 ??????BSO LBSCCCC因為A1 A2 A值與 CS/CB的關(guān)系曲線 根據(jù)結(jié)深的計算公式， ， A的值可用兩種方法求出。 DtAxj ?C~C4SS??? ACACBB時，當(dāng)可知，對余誤差分布：查圖當(dāng)擴(kuò)散時間為 2h時， n+埋層的厚度為 ： mcmsscmDtAx j? 7 43 6 0 02/6213???????????n+埋層的雜質(zhì)總量 Q0為： 21531921303 6 0 02/10322)(0??????????????? ?cmcmsscmCDtdxxCQ S?忽略襯底摻雜的補(bǔ)償作用， 所求 n+埋層的平均雜質(zhì)濃度為： 31942150001)(1)(1?????????????? ?cmcmcmQxCqQxdxxCxCjBnjjn ?所求出 n+埋層的方塊電阻為 ： 電子和空穴遷移率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系 jjjCq1Rx1RxRx????????????
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