《擴(kuò)散作業(yè)》ppt課件-文庫(kù)吧
2025-04-14 02:54 本頁(yè)面
【正文】 查圖 C~?可知 , 當(dāng) C= 1019cm3,取 ?n=72cm2/s。 ????????? ??/112152190 cmscmCQqRn?01QqR n???根據(jù) 某硅集成電路采用的 N型外延層的電阻率為 ? cm，其晶體管基區(qū)硼預(yù)淀積溫度為 950℃ ，時(shí)間為 10min；再分布的 溫度為 1180℃ ，時(shí)間為 50min， (1)求預(yù)淀積摻入的雜質(zhì)總量、結(jié)深和方塊電阻； (2)求再分布后的表面濃度，結(jié)深和方塊電阻。 解 : 根據(jù)題意知 晶體管基區(qū)硼擴(kuò)散屬于兩步擴(kuò)散 ： 預(yù)沉積 屬于 恒定表面源擴(kuò)散 ，它遵循 余誤差分布 。 再分布 屬于 有限表面源擴(kuò)散 ，它遵循 高斯分布 。 查圖 ρ~NB知，當(dāng) ρ = cm時(shí) , CB = 1016cm3 ； 查圖 D~T可知：當(dāng) T1=950℃ ， B的 D1=4 1015cm2/s。 當(dāng) T2=1180℃ ， B的 D2= 1012cm2/s。 查圖 CSOl~T可知：當(dāng) T=950℃ ， CSOl=4 1020cm3。 已知預(yù)沉積時(shí)間： t1=10min。 再分布時(shí)間： t2=50min。 2143202151111106010/104222??????????????cmcmsscmCtDCtDQS o lS??所求的預(yù)沉積時(shí)摻入的雜質(zhì)總量為： (1)預(yù)沉積： 1112SCtDQ??根據(jù)A1 A2 A值與 NS/NB的關(guān)系曲線 5 . 8A104CCCC,4316320BSOlBS11??????????時(shí)，當(dāng)對(duì)于余誤差分布，根據(jù)cmcmtDAxj 所求的預(yù)沉積時(shí)的結(jié)深為： mcmsscmtDAxj?6010/6215111???????????31962140001)(1)(1?????????????? ?cmcmcmQxCqQxdxxCxCjBnjjn ?,10QqRp???根據(jù) 所求的預(yù)沉積時(shí)的方塊電阻為： ???????????/1 6 3112142190cmscmCQqRp?查圖 C~?可知：當(dāng) C= 1019cm3，取 ?p =55cm2/s。 (2)再分布： 再分布時(shí)表面濃度
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