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正文內(nèi)容

數(shù)字電路ppt課件(2)(編輯修改稿)

2025-05-26 02:48 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 1導(dǎo)通。 倒相器工作過(guò)程中,兩管輪流導(dǎo)通,導(dǎo)通電阻小,截止電阻大,所以靜態(tài)電流只有 n A 級(jí)。 低功耗是 CMOS倒相器的重要特點(diǎn)。 TP TN VDD VI VO ( 1) 當(dāng) Vi< 2V, TN截止 , TP導(dǎo)通 , Vo≈ VDD=10V。 2. 電壓傳輸特性: CMOS門(mén)電路的閾值電壓 Vth=VDD/2 ( 設(shè) : VDD=10V, VTN=|VTP|=2V) P2VT2OHPP(V )和在可變電阻區(qū)TTN0NNP截止TT(V )iT在可變電阻區(qū)N6106TT在飽和區(qū)在飽和區(qū)8均在飽和區(qū)截止84Vo4100LVV( 2) 當(dāng) 2V< Vi< 5V, TN工作在飽和區(qū) , TP工作 在可變電阻區(qū) 。 ( 3) 當(dāng) Vi=5V, 兩管都工作在飽和區(qū) , Vo=( VDD/2) =5V。 ( 4) 當(dāng) 5V< Vi< 8V, TP工作在飽和區(qū) , TN工作在可變電阻區(qū) 。 ( 5) 當(dāng) Vi> 8V, TP截止 , TN導(dǎo)通 , Vo=0V。 TP TN VDD VI VO 電流傳輸特性: i o = f ( v I ) VI = 189。 VDD TP、 TN 都飽和導(dǎo)通,這一瞬間有大電流通過(guò),在其它區(qū)域總有一個(gè)導(dǎo)通,另一個(gè)截止。所以 i D 電流較小。 DiiVthNV DDVthPDD VV ?1 2 3 4 50 thV⑴ 、靜態(tài)功耗極低,僅幾十納瓦 CMOS倒相器工作在 1和 5工作區(qū) , 總有一個(gè) MOS管處于截止?fàn)顟B(tài) ,有極小漏電流流過(guò) 。 只有在急劇翻轉(zhuǎn)的第 3區(qū)才有較大的電流 , 因此動(dòng)態(tài)功耗會(huì)增大 。 CMOS倒相器在低頻工作時(shí),功耗極小,低功耗時(shí) CMOS的最大優(yōu)點(diǎn)。 ⑵ 、抗干擾能力較強(qiáng) 由于閾值電平近似等于 189。 VDD,輸入高、低電平的噪聲容限隨電源的升高而提高。所以抗干擾能力增強(qiáng)。 DiiVthNV DDVthPDD VV ?1 2 3 4 50 thVOViVthNV DDV21 DDVthPDD VV ?DDV1 2 3 4 50⑶ 、電源利用率高 VOH = VDD , 同時(shí) V t h 隨 VDD 變化而變化。允許 VDD的變化范圍為+ 3V~+ 18V。 ⑷ 、輸入阻抗高,帶負(fù)載能力強(qiáng) 扇出系數(shù) NO = 50 ,下一級(jí)是絕緣柵幾乎不取電流,所以可帶 50個(gè)同類(lèi)門(mén)電路。 CMOS門(mén)的輸出端在靜態(tài)時(shí),一個(gè)導(dǎo)通,另一個(gè)截止。動(dòng)態(tài)時(shí),兩管均導(dǎo)通,所以輸出端不可以并聯(lián)。 輸入特性和輸出特性 ⑴ 、輸入特性 CMOS電路的柵極和襯底之間是絕緣柵,其直流電阻高達(dá) 1012Ω,只要有少量電量便可感生出足可以擊穿氧化層,造成永久損壞。因此,在 CMOS輸入端都加有保護(hù)電路。 IiiVDDV0V1? D D2是保護(hù)二極管,正向壓降 1V,反向擊穿電壓 30V。 D1是 P型擴(kuò)散區(qū)和 N型襯底間自然形成的分布二極管結(jié)構(gòu),用一條虛線和兩個(gè)二極管表示。 C C2是 TP、 TN管柵極等效電容。 R是限流電阻,阻值 1~3KΩ。 加保護(hù)電路的輸入特性 : ☆ 當(dāng)輸入 0 VI ≦ V DD :輸入電流 i I = 0,在正常工作范圍內(nèi),保護(hù)二極管不起作用。 ☆ 當(dāng)輸入 VIVDD+VD時(shí): 保護(hù)二極管 D1導(dǎo)通,輸入電流 i I 迅速增加,同時(shí)將 TP、 TN管柵極電壓鉗位于VDD+VD。保證加在 C2上的電壓,不超過(guò)其耐壓極限。 ☆ 當(dāng)輸入 VI- VD時(shí):保護(hù)二極管 D2導(dǎo)通, |i I| 隨 |VI|增加而增大。其變化斜率由 R決定。 TP TN VDD VI VO C1 C2 D2 D1 D1 R TP TN VDD VI=0V V0=VOH RL ⑵ 、輸出特性 低電平輸出特性是 灌流負(fù)載 。 高電平輸出特性是 拉流負(fù)載
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