數字電路ppt課件(2)-文庫吧資料
2025-05-05 02:48本頁面
【正文】 間電阻 109Ω。（ 由于D、 S對稱可以雙向傳輸。 CMOS傳輸門是由 p溝道 和 n溝道 增強型 MOS管并聯(lián)互補組成。 TP TN VDD VI=VDD V0=VOL RL ⑶ 、電源特性 CMOS正常工作時有 靜態(tài)功耗 和 動態(tài)功耗 ，靜態(tài)功耗主要是保護二極管功耗，電流很小，不超過 1μ A。 當輸入 VI為低電平時，負載管導通，輸入管截止。 當輸入 VI為高電平時，負載管截止，輸入管導通。 TP TN VDD VI VO C1 C2 D2 D1 D1 R TP TN VDD VI=0V V0=VOH RL ⑵ 、輸出特性 低電平輸出特性是 灌流負載 。 ☆ 當輸入 VI－ VD時：保護二極管 D2導通， |i I| 隨 |VI|增加而增大。 ☆ 當輸入 VIVDD+VD時： 保護二極管 D1導通，輸入電流 i I 迅速增加，同時將 TP、 TN管柵極電壓鉗位于VDD+VD。 R是限流電阻，阻值 1~3KΩ。 D1是 P型擴散區(qū)和 N型襯底間自然形成的分布二極管結構，用一條虛線和兩個二極管表示。因此，在 CMOS輸入端都加有保護電路。動態(tài)時，兩管均導通，所以輸出端不可以并聯(lián)。 ⑷ 、輸入阻抗高，帶負載能力強 扇出系數 NO = 50 ,下一級是絕緣柵幾乎不取電流，所以可帶 50個同類門電路。 DiiVthNV DDVthPDD VV ?1 2 3 4 50 thVOViVthNV DDV21 DDVthPDD VV ?DDV1 2 3 4 50⑶ 、電源利用率高 VOH = VDD , 同時 V t h 隨 VDD 變化而變化。 VDD，輸入高、低電平的噪聲容限隨電源的升高而提高。 CMOS倒相器在低頻工作時，功耗極小，低功耗時 CMOS的最大優(yōu)點。 DiiVthNV DDVthPDD VV ?1 2 3 4 50 thV⑴ 、靜態(tài)功耗極低，僅幾十納瓦 CMOS倒相器工作在 1和 5工作區(qū) ， 總有一個 MOS管處于截止狀態(tài) ，有極小漏電流流過 。 VDD TP、 TN 都飽和導通，這一瞬間有大電流通過，在其它區(qū)域總有一個導通，另一個截止。 （ 5） 當 Vi＞ 8V， TP截止 ， TN導通 ， Vo=0V。 （ 3） 當 Vi=5V， 兩管都工作在飽和區(qū) ， Vo=（ VDD/2） =5V。 TP TN VDD VI VO （ 1） 當 Vi＜ 2V， TN截止 ， TP導通 ， Vo≈ VDD=10V。 倒相器工作過程中，兩管輪流導通，導通電阻小，截止電阻大，所以靜態(tài)電流只有 n A 級。 以上分析： 輸入是 0,輸出是 1,實現(xiàn)倒相關系， AF ?PMOS 管， 啟為負， 0導 1截止。 PMOS管 VGSP = 0 V DD= － 5 V， |VGSP| |V t h P| ，TP管導通，其導通電阻 R on = 103Ω 1????? DDo f fo f fonDD VRRRVFV0TP TN VDD VI VO offRonRDDV當 VI= 5 V 時： NMOS管 VGSN = 5V V t h N TN管導通，其導通電阻 R on = 103 Ω。 ? 正常工作條件： 電源電壓大于兩管開啟電壓絕對值之和。 G 兩個漏極 D串連作輸出端。NMOS作輸入管，開啟電壓為正 V t h 。 CMOS集成電路由 P 溝道和 N 溝道增強型 MOS 管串連組成， CMOS電路能有效解決上述問題。rd1不利于大規(guī)模集成。 NMOS,PMOS電路存在三個問題： ★ 負載管一直導通，當驅動管導通時，電源與地之間有靜態(tài)電流，所以功耗大。 ? 輸出高低電平，取決于兩管跨導之比。 ? 負載管 TL始終飽和，速度慢，功耗大。 只有 A,B全為低電平， T1,T2均截止，輸出 F 才是高電平。 當 A,B全為
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