《數(shù)字電路》ppt課件 (2)(文件)
【正文】 TP′和 TN′MOS 管及反相器組成。 控制端為 0,電路正常工作，控制端為 1是高阻態(tài)。上、下都不通。 0?EN1?EN 10??CC01??CC TG導(dǎo)通 AF ?TG截止， F為高阻。 （ 3） 與 TTL兼容的高速 CMOS——HCT系列 。 （ 3） CMOS非門的關(guān)門電平 VOFF為 ， 開(kāi)門電平 VON為 。 多余輸入端的處理 （ 1）對(duì)于與非門及與門，多余輸入端應(yīng)接 高電平 。AB（a ） （b ）≥1ABBA（a） （b）≥1 本章小結(jié) 1． 最簡(jiǎn)單的門電路是二極管與門 、 或門和三極管非門 。 在 TTL系列中 ， 除了有實(shí)現(xiàn)各種基本邏輯功能的門電路以外 ，還有集電極開(kāi)路門和三態(tài)門 。 。 一種是 NMOS門電路 ， 另一類是 CMOS門電路 。 2． 目前普遍使用的數(shù)字集成電路主要有兩大類 ， 一類由 NPN型三極管組成 ， 簡(jiǎn)稱 TTL集成電路；另一類由 MOSFET構(gòu)成 ， 簡(jiǎn)稱 MOS集成電路 。 Vamp。 （ 4） CMOS電路的功耗很小 ， 一般小于 1 mW/門； （ 5） 因 CMOS電路有極高的輸入阻抗 ， 故其扇出系數(shù)很大 ， 可達(dá) 50。 所以 CMOS門電路的邏輯擺幅 （ 即高低電平之差 ） 較大 。 EN EN = 1: EN = 0: 0110001101A VDD TG 1 ENF BAX ??BABABABABAXBAL ?????????????后級(jí)為與或非門 ， 經(jīng)過(guò)邏輯變換 ， 可得： CMOS異或門電路 由兩級(jí)組成，前級(jí)為或非門，輸出為 VL = AABDDXB+1． CMOS邏輯門電路的系列 （ 1） 基本的 CMOS——4000系列 。 TNˊ導(dǎo)通，與非門開(kāi)放， F = A 。 或門輸出 0A10amp。 AAF ??? 01?ENTPˊ 截止， 電源斷開(kāi)， 01 ?? ATN 也截止， 上、下都不通。 EN 是低有效。 1 A B F 三態(tài)輸出 CMOS門是在普通倒相器的基礎(chǔ)上增加控制端和控制電路構(gòu)成。所以輸入端數(shù)目增加使輸出低電平升高，輸入低電平噪聲容限下降。RON 0 1 導(dǎo) 止 止 導(dǎo) RO=RON4=RON 1 0 止 導(dǎo) 止 導(dǎo) R0=RON3=RON 1 1 導(dǎo) 導(dǎo) 止 止 RO=RON1+RON2=2RON 輸入信號(hào)不同，引起輸出電阻不同。 因此該電路具有或非邏輯功能。 ABF ?TP TN VDD A B TP TN T1 T2 T3 T4 F 電路組成： 兩 P串，作負(fù)載， 0 導(dǎo) 1 截止。 兩 N串，作驅(qū)動(dòng)， 0止 1導(dǎo)通。如音頻，視頻等信號(hào)。傳輸門導(dǎo)通。 CC,工作原理 ： DDVCC?? 0 TN、 TP均截止，輸入和輸出之間電阻 109Ω。 CMOS傳輸門是由 p溝道 和 n溝道 增強(qiáng)型 MOS管并聯(lián)互補(bǔ)組成。 當(dāng)輸入 VI為低電平時(shí)，負(fù)載管導(dǎo)通，輸入管截止。 TP TN VDD VI VO C1 C2 D2 D1 D1 R TP TN VDD VI=0V V0=VOH RL ⑵ 、輸出特性 低電平輸出特性是 灌流負(fù)載 。 ☆ 當(dāng)輸入 VIVDD+VD時(shí)： 保護(hù)二極管 D1導(dǎo)通，輸入電流 i I 迅速增加，同時(shí)將 TP、 TN管柵極電壓鉗位于VDD+VD。 D1是 P型擴(kuò)散區(qū)和 N型襯底間自然形成的分布二極管結(jié)構(gòu)，用一條虛線和兩個(gè)二極管表示。動(dòng)態(tài)時(shí)，兩管均導(dǎo)通，所以輸出端不可以并聯(lián)。 DiiVthNV DDVthPDD VV ?1 2 3 4 50 thVOViVthNV DDV21 DDVthPDD VV ?DDV1 2 3 4 50⑶ 、電源利用率高 VOH = VDD , 同時(shí) V t h 隨 VDD 變化而變化。 CMOS倒相器在低頻工作時(shí)，功耗極小，低功耗時(shí)
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