數(shù)字電路第八章ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 02:48 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 31ln1??? ?CRT 22 ?CRRTf )2(21 ???212112 RRRRTTq????（ 4） 電路振蕩頻率 f T T1 T2 0 vc t vo 0 t 2/3VCC 1/3VCC 二． 占空比可調(diào)的多諧振蕩器電路 利用二極管的單向?qū)щ娦?， 把電容 C充電和放電回路隔離開(kāi) ， 再加上一個(gè)電位器 ， 便可構(gòu)成占空比可調(diào)的多諧振蕩器 。 可 計(jì) 算 得 ： T1= T2= 占空比： 2112112111RRRCRCRCRTTTTTq???????26V CC R DO5553vI2I1v8 4v7V CCC1 50. 01 μFC 1vCDD 121R2R三． 石英晶體多諧振蕩器 有兩個(gè)諧振頻率 。 當(dāng) f=fs時(shí) ， 為串聯(lián)諧振 ， 石英晶體的電抗 X=0； 當(dāng) f=fp時(shí) ， 為并聯(lián)諧振 ， 石英晶體的電抗無(wú)窮大 。 由晶體本身的特性決定： fs≈ fp≈ f0（ 晶體的標(biāo)稱(chēng)頻率 ） 石英晶體的選頻特性極好 ， f0十分穩(wěn)定 ， 其穩(wěn)定度可達(dá) 1010～ 1011。 uu石英晶體fX 感性 0 f s f p容性 2. 石英晶體多諧振蕩器 （ 1） 串聯(lián)式振蕩器 R R2：使兩個(gè)反相器都工作在轉(zhuǎn)折區(qū) ， 成為具有高放大倍數(shù)的放大器 。 對(duì)于 TTL門(mén) ， 常取 R1=R2=～ 2kΩ ， 對(duì)于 CMOS門(mén) ， 常取 R1=R2=10～100MΩ； C1=C2是耦合電容 。 石英晶體工作在串聯(lián)諧振頻率 f0下 ， 只有頻率為 f0的信號(hào)才能通過(guò) ，滿(mǎn)足振蕩條件 。 因此 ， 電路的振蕩頻率 = f0， 與外接元件 R、 C無(wú)關(guān) ， 所以這種電路振蕩頻率的穩(wěn)定度很高 。 111RG 1R12G1C2Cov（ 2）并聯(lián)式振蕩器 RF是偏置電阻，保證在靜態(tài)時(shí)使 G1工作轉(zhuǎn)折區(qū)，構(gòu)成一個(gè)反相放大器。 晶體工作在略大于 fS與 fP之間 ， 等效一電感 ， 與 C C2共同構(gòu)成電容三點(diǎn)式振蕩電路 。 電路的振蕩頻率 = f0。 反相器 G2起整形緩沖作用 ， 同時(shí) G2還可以隔離負(fù)載對(duì)振蕩電路工作的影響 。 CR1C112G 21GF 10M Ω20pF 5 ～ 50pFov四．多諧振蕩器應(yīng)用實(shí)例 1. 簡(jiǎn)易溫控報(bào)警器 26VCCR D5553vI2I1v8 47RRVCC12C 1 50. 01C110μ /1 0VC220k100k0. 013R2k（ + 6V ）T3A X 3 1μμ 2. 雙音門(mén)鈴 。 1vI1812R5550. 0115CRRD427VI26vCC3k3k0. 1μμR 44. 7k3C47μCDD122C P3R3. 9kCCV（ + 6V ）C247μ38ΩPAN3. 秒脈沖發(fā)生器 CMOS石英晶體多諧振蕩器產(chǎn)生 f=32768Hz的基準(zhǔn)信號(hào) ，經(jīng) T/觸發(fā)器構(gòu)成的 15級(jí)異步計(jì)數(shù)器分頻后 ， 便可得到穩(wěn)定度極高的秒信號(hào) 。 這種秒脈沖發(fā)生器可做為各種計(jì)時(shí)系統(tǒng)的基準(zhǔn)信號(hào)源 。 1 1CQCQCQCQ112214141515FF FF FF FF1 2 14 15RCC 12f f ff f1 2 1403 2 7 6 8 H z 1 6 3 8 4 H z 8 1 9 2 H z 2 H z 1 H z秒脈沖T 觸發(fā)器 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 —— 有一個(gè)穩(wěn)態(tài)和一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)；在觸發(fā)脈沖作用下，由穩(wěn)態(tài)翻轉(zhuǎn)到暫穩(wěn)態(tài)；暫穩(wěn)狀態(tài)維持一段時(shí)間后，自動(dòng)返回到穩(wěn)態(tài)。
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